类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　封装形式：5引脚 SSIP（超小型独立引线）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　连续负载电流（ION）：780 mA
　　接通电阻（RON）：典型值 2.5 Ω，最大值 3.5 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　回路电容：典型值 10 pF
　　LED触发电流（IFON）：5 mA 最小值
　　关断时间（toff）：典型值 1 ms
　　导通时间（ton）：典型值 1 ms

G3VM-61B1的核心优势在于其采用的光电MOSFET输出结构，使其能够在无需外部驱动电路的情况下直接控制负载。该器件的输出端由多个串联的MOSFET组成，能够承受高达60V的负载电压，并支持最高780mA的连续导通电流，满足大多数低压直流开关应用的需求。其导通电阻低至2.5Ω（典型值），有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现。同时，低RON也意味着在开关过程中产生的热量较少，有助于提升整体系统的热稳定性。
　　该光耦继电器具备出色的电气隔离能力，输入与输出之间的隔离电压可达5000Vrms，符合国际安全标准，适用于对绝缘要求较高的工业和医疗设备中。此外，由于其为固态继电器，不存在机械触点的弹跳和电弧问题，因此在频繁开关的应用中表现出极高的可靠性，且不会产生电磁干扰（EMI），有利于提高系统的电磁兼容性（EMC）。
　　G3VM-61B1的响应速度较快，导通和关断时间均为1ms左右，适合中高速信号切换场合。其输入侧仅需5mA的LED触发电流即可实现导通，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与微控制器、PLC或其他数字控制系统直接接口，无需额外的驱动电路。器件的工作温度范围宽，可在-20°C至+85°C环境下稳定运行，适应各种工业现场条件。此外，其5引脚SSIP封装尺寸小巧，适合高密度PCB布局，支持自动贴片工艺，提升了生产效率和产品一致性。

G3VM-61B1广泛应用于需要高可靠性、长寿命和小尺寸开关元件的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC输出模块、I/O控制板、传感器信号切换、气动/液压阀控制等场合，作为执行机构的驱动开关。由于其无触点特性，特别适合在易燃、易爆或高粉尘环境中替代传统电磁继电器，避免因电火花引发安全事故。
　　在测试与测量设备中，G3VM-61B1可用于自动测试设备（ATE）、数据采集系统、多路复用器和程控电源中，实现对被测信号路径的精确切换。其低导通电阻和低漏电流特性保证了测量精度不受影响，尤其适用于精密模拟信号的路由控制。
　　在通信设备中，该器件可用于电话交换系统、网络路由器和基站控制电路中，完成线路选择和信号隔离功能。其快速响应能力和高隔离性能有助于提升通信系统的稳定性和抗干扰能力。
　　此外，G3VM-61B1也常见于医疗电子设备，如监护仪、诊断仪器和治疗设备中，用于安全隔离患者连接部分与主控电路，符合医疗设备对电气安全的严格要求。在消费类电子产品和智能家居系统中，也可用于电池管理系统、照明控制和安防装置中，提供静音、长寿命运行的开关解决方案。

G3VM-61GL,G3VM-61GR,G3VM-41B1