类型：MOS FET输出型光继电器
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8Ω，最大12Ω
　　输出漏电流（ILEAK）：最大0.1μA
　　负载电压（LOAD VOLTAGE）：60V DC
　　连续负载电流（IO）：120mA
　　峰值负载电流（IOPK）：360mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：5000Vrms
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：0.3ms / 0.2ms
　　封装形式：SMD-4引脚超小型封装

G3VM-61B的核心特性在于其采用MOS FET作为输出开关元件，实现了真正的无机械触点操作，从而避免了传统电磁继电器常见的电弧、磨损、反弹等问题，显著提升了开关寿命和系统可靠性。其输出端由两个背对背连接的N沟道功率MOSFET构成，能够控制直流或交流负载，具备极低的导通电阻（典型值仅为8Ω），有效降低功耗和温升，提高能效。输入侧为一个高效率红外LED，仅需5mA至50mA的驱动电流即可可靠触发，兼容TTL或CMOS逻辑电平，便于与微控制器、FPGA或其他数字电路直接接口。该器件具有优异的电气隔离性能，绝缘电压高达5000Vrms，确保了高压侧与低压控制侧之间的安全隔离，适用于工业控制和医疗设备等对安全性要求较高的场景。
　　G3VM-61B的响应速度极快，开通时间仅0.3ms，关断时间0.2ms，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度，因此特别适合用于高频信号切换、数据采集系统或多路复用器应用。其超小型表面贴装封装（SMD-4）不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升组装效率和产品一致性。由于没有机械运动部件，G3VM-61B在运行过程中无噪音、无振动，也不会产生电磁干扰（EMI），有助于改善整体系统的电磁兼容性（EMC）。此外，该器件具备良好的耐冲击和耐振动性能，可在恶劣环境下稳定工作，适用于便携式设备或移动平台。
　　另一个重要特性是其极低的输出漏电流（最大0.1μA），在关闭状态下几乎不产生电流泄漏，确保被控电路完全断开，这对于高阻抗信号路径或精密测量系统至关重要。同时，其负载电压可达60V DC，连续负载电流为120mA，峰值可达360mA，满足大多数中小功率负载的控制需求。器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适应各种严苛环境条件下的长期稳定运行。G3VM-61B还具备出色的抗浪涌能力和热稳定性，能够在瞬态过载情况下保持可靠工作，延长系统使用寿命。

G3VM-61B广泛应用于需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O控制单元、传感器信号切换和气动/液压阀控制，实现对执行机构的安全隔离驱动。在通信设备中，可用于多路语音或数据通道的切换、程控交换机中的信号路由以及光纤网络中的光开关控制。在医疗电子设备中，因其高绝缘性和低漏电流特性，适用于病人监测仪器、便携式诊断设备和生命支持系统的信号通断控制，保障患者安全。在测试与测量仪器中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器，G3VM-61B可实现高精度模拟信号的无损切换，避免引入额外噪声或失真。消费类电子产品中，可用于智能手机、平板电脑、智能家居控制器中的电池管理、音频路径切换或外设电源控制。此外，在汽车电子、安防监控和智能仪表等领域也有广泛应用，特别是在需要长寿命和免维护设计的场合，G3VM-61B的优势尤为突出。

G3VM-61GL,G3VM-41B3,G3VM-812B