类型：MOSFET继电器（光继电器）
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：360 mA（最大）
　　导通电阻（RON）：2.7 Ω（最大）
　　动作时间（tON）：1 ms（典型）
　　释放时间（tOFF）：0.5 ms（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　封装形式：TSON-5（表面贴装）
　　尺寸：约 3.0 × 2.0 × 1.0 mm
　　LED波长：940 nm（红外）
　　隔离电容：8 pF（典型）
　　最大允许功耗：150 mW

G3VM-61AY的核心优势在于其出色的电气性能与微型化设计的完美结合。该器件采用LED驱动光敏MOSFET结构，当输入侧LED导通时，产生的光信号触发输出侧的MOSFET导通，从而实现无触点的开关功能。由于没有机械磨损，其使用寿命远超传统继电器，可实现数亿次的开关操作而无需维护。其导通电阻低至2.7Ω，确保在通过较大电流时仍能保持较低的功耗和温升，提升了系统效率与稳定性。同时，该器件具备快速的响应速度，开通时间仅1ms，关断时间0.5ms，适用于需要高速切换的应用场景。
　　G3VM-61AY的输入驱动电流为50mA，兼容标准逻辑电平驱动，可通过微控制器或逻辑门电路直接控制，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。其输出端支持最高60V的电压和360mA的连续电流，能够驱动多种类型的负载，包括模拟信号路径、小功率直流电机、LED指示灯等。器件的高绝缘电压（5000Vrms）提供了卓越的电气隔离能力，有效防止噪声干扰和高压窜入控制电路，提升系统的安全性与抗干扰能力。
　　TSON-5封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，有助于热量从底部焊盘散发，提高长期工作的可靠性。此外，该器件具有低输入电容和输出电容，减少了信号串扰，特别适用于高频信号切换和精密测量设备。G3VM-61AY还具备优异的抗振动和抗冲击性能，适合在恶劣环境或移动设备中使用。其无铅和符合RoHS指令的设计也满足现代环保要求。

G3VM-61AY广泛应用于多个高精度和高可靠性要求的领域。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，该器件用于多路复用器和信号路由开关，因其低导通电阻和高重复性，可确保测试信号的完整性与一致性。在工业自动化系统中，它可用于PLC模块中的I/O信号隔离与切换，替代传统电磁继电器以减少故障率和维护成本。通信设备如路由器、交换机和基站中，G3VM-61AY被用于电源管理、信号路径选择和故障保护电路，其高速响应和低噪声特性有助于提升系统性能。
　　在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断设备，G3VM-61AY提供安全的电气隔离，防止患者接触危险电压，同时其无磁特性避免了对敏感传感器的干扰。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居控制器中，该器件用于电池管理、音频信号切换和外围设备控制，得益于其微型封装，有助于实现设备的小型化和轻薄化设计。此外，在电池供电的便携式仪器和物联网节点中，其低功耗特性和高可靠性使其成为理想的开关元件。

G3VM-61GR,G3VM-61GLY