类型：MOS FET输出型光继电器
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值6 Ω，最大值9 Ω
　　输出连续通态电流（IO）：320 mA（AC/DC）
　　输出峰值通态电流（IOP）：640 mA
　　输出电压（VOUT）：60 V（最大值）
　　开通时间（tON）：典型值0.5 ms
　　关断时间（tOFF）：典型值0.5 ms
　　隔离电压（VIORM）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：S-MINI（表面贴装）
　　引脚数：4

G3VM-61AR具备多项优异的技术特性，使其在众多光继电器产品中脱颖而出。首先，其超小型S-MINI封装显著减小了PCB占用面积，特别适用于高密度组装的便携式设备和模块化系统。尽管体积小巧，但其性能表现稳定可靠。该器件的输出端采用一对背对背连接的N沟道MOSFET结构，形成双向开关，能够在正负电压下正常工作，支持交流和直流负载的切换，扩展了应用灵活性。MOSFET作为半导体开关，没有传统机械继电器的磨损问题，因此具有极高的耐久性，可实现数亿次的开关操作而不会出现性能衰减。
　　其次，G3VM-61AR具有非常低的导通电阻（RON），典型值仅为6Ω，这有助于减少功率损耗和温升，提高能效，尤其在电池供电或低功耗系统中具有重要意义。低RON也意味着更高的电流承载能力，在320mA连续电流下仍能保持良好稳定性。同时，该器件的输入侧LED驱动电流仅需5mA即可正常工作，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接由微处理器I/O口驱动，无需额外的限流电阻或缓冲器，简化了外围电路设计，降低了整体成本。
　　另一个重要特性是其高电气隔离能力。输入与输出之间的隔离电压高达5000Vrms，满足IEC/UL/CSA等国际安全标准，有效防止高压窜入控制侧，保护敏感电子元件和操作人员安全。此外，该器件响应速度快，开通和关断时间均在0.5ms以内，远快于传统电磁继电器，适用于需要快速响应的自动控制系统。G3VM-61AR还具备良好的抗干扰能力，不受外部磁场影响，且无触点弹跳现象，输出信号干净稳定。其宽工作温度范围（-40°C至+110°C）使其能在严苛环境条件下稳定运行，包括工业现场、汽车电子和户外设备等应用场景。

G3VM-61AR广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要小型化、高可靠性和电气隔离的场合。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器接口和远程控制单元中，作为信号切换和负载驱动元件。在测试与测量设备中，如数据采集系统、自动测试设备（ATE）和精密仪器，G3VM-61AR用于通道切换和信号路由，因其无触点特性可避免接触电阻变化带来的测量误差。
　　在通信设备中，该光继电器可用于音频/视频信号切换、电话线路控制和网络交换模块，提供清晰的信号传输路径。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和低漏电流特性，可用于病人连接设备的信号隔离，确保电气安全。此外，在消费类电子产品如智能家居控制模块、安防系统和电源管理单元中，G3VM-61AR也被用于低压电路的通断控制。
　　汽车电子系统也是其重要应用领域之一，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统中，用于实现低功率信号的隔离与切换。由于其耐振动和长寿命特性，特别适合在移动和恶劣环境中使用。此外，在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，G3VM-61AR因其小尺寸和低功耗优势，成为实现远程控制和智能开关的理想选择。无论是替代传统电磁继电器还是作为半导体开关方案，G3VM-61AR都能提供稳定、高效和安全的解决方案。

G3VM-61GR
　　G3VM-41GR
　　TLP222G
　　TLP3545