类型：MOSFET输出型光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：TSON-4（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（IO）：260 mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：0.17 Ω（典型值）
　　关断状态漏电流（IDOFF）：1 μA（最大值）
　　LED触发电流（IFON）：3 mA（最小值）
　　开关时间（Ton/Toff）：0.3 ms / 0.2 ms（典型值）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：1000 MΩ（最小值）

G3VM-601AY的核心优势在于其极低的导通电阻，典型值仅为0.17 Ω，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗和温升，特别适合用于模拟信号切换或小电流电源路径控制的应用场景。相比传统电磁继电器或其他高阻抗光继电器，这种低RON特性可以有效减少信号失真，提升系统能效。
　　该器件采用MOSFET作为输出开关元件，具备双向导通能力，允许电流在两个方向自由流动，因此可用于交流或直流负载的控制，灵活性远高于单向半导体开关。同时，其输出端无极性限制，简化了电路设计和布线过程。
　　G3VM-601AY内置的GaAs红外LED具有高发光效率和长期稳定性，确保在低驱动电流（典型3–5 mA）下仍能可靠触发输出MOSFET，兼容大多数微控制器I/O电平，无需额外驱动电路，降低了整体系统成本和复杂度。
　　器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达5000 Vrms，满足工业安全标准要求，适用于需要高绝缘等级的医疗设备或工业控制系统。此外，其封装材料具有良好的耐热性和抗湿性，适合回流焊工艺，并能在恶劣环境中稳定工作。
　　由于采用全固态结构，G3VM-601AY无机械磨损、无弹跳现象，具有极高的可靠性与寿命，可达数十万次以上的开关操作。同时，其快速的开关响应时间（开通约0.3 ms，关断约0.2 ms）使其适用于需要高频切换的场合，如自动测试设备中的多路复用开关阵列。

G3VM-601AY广泛应用于需要小型化、高可靠性和低导通电阻的电子系统中。在测试与测量设备中，常用于多路复用器或信号路由开关，因其低RON和双向导通特性，可精确传输模拟信号而不引入明显压降或失真。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪或诊断仪器，G3VM-601AY用于隔离敏感信号路径或电源管理模块，利用其高隔离电压保障患者和操作人员的安全。
　　工业自动化领域中，该器件可用于PLC输入/输出模块、传感器接口或小型执行器控制，替代传统电磁继电器以提高系统寿命和抗干扰能力。
　　在通信设备中，G3VM-601AY可用于音频或数据线路的切换，支持热插拔功能而不会产生电弧或瞬态干扰。
　　此外，在便携式电子产品如手持仪表、电池供电设备中，其低功耗驱动特性和小尺寸封装有助于延长电池寿命并节省PCB空间。由于其符合RoHS标准，也适用于对环保要求较高的消费类和工业类产品设计。

G3VM-61EY
　　G3VM-61GLY
　　TLP3543A
　　CPC1017N