类型：MOS FET继电器（无触点）
　　电路形式：SPST-NO（常开）
　　输出配置：双MOSFET背对背连接
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型驱动条件）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：10 Ω（最大值）
　　负载电压（VLOAD）：60 V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：120 mA（最大值）
　　峰值负载电流（IOP）：360 mA
　　接通时间（tON）：1 ms（最大值）
　　关断时间（tOFF）：1 ms（最大值）
　　输入输出间耐压（VISOL）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：USOP-8
　　隔离等级：增强绝缘型

G3VM-41LR10的核心特性之一是其基于光控MOSFET技术的无触点开关机制，这一设计从根本上消除了传统机械继电器中存在的触点磨损、弹跳和电弧等问题，从而显著提升了器件的可靠性和使用寿命。该继电器通过输入侧的红外LED发光，激发光电二极管阵列产生电压，驱动输出端的功率MOSFET导通。由于MOSFET具有极低的导通电阻（典型值低于10Ω），因此在导通状态下功耗极小，发热低，适合长时间运行的应用环境。此外，背对背连接的MOSFET结构允许器件控制交流或直流信号，增强了应用灵活性。
　　另一个关键特性是其高电气隔离能力。G3VM-41LR10提供高达5000 Vrms的输入输出隔离电压，满足IEC/EN 60747-5-5等国际安全标准的要求，适用于需要高绝缘等级的工业和医疗设备。这种增强型隔离不仅保护了控制电路免受高压负载端的影响，还提高了系统的整体安全性。同时，该器件具备优异的抗干扰能力，对外部电磁场不敏感，不会产生电磁干扰（EMI），非常适合用于精密电子系统和高频开关场合。
　　在驱动方面，G3VM-41LR10仅需5 mA的输入电流即可实现完全导通，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路或缓冲器，简化了系统设计并降低了成本。其快速响应时间（开通和关断均小于1ms）使得它适用于需要高速切换的应用，如数据采集系统或多路复用器控制。此外，USOP-8的小型封装使其非常适合空间受限的应用，例如便携式设备、高密度PCB板和自动化测试设备中的模块化设计。温度稳定性也是该器件的一大优势，即使在-30°C至+85°C的宽温范围内，其关键参数仍能保持稳定，确保在恶劣环境下正常工作。

G3VM-41LR10因其高可靠性、小尺寸和优异的电气性能，被广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化控制系统中，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块，作为数字信号的隔离与驱动元件，控制传感器、执行器或指示灯等负载。由于其无触点特性，特别适合频繁启停的工况，避免了传统继电器因机械疲劳导致的失效问题。
　　在测试与测量设备中，G3VM-41LR10用于自动测试设备（ATE）的信号路由开关，能够在不引入额外噪声或接触电阻变化的情况下精确切换低电平信号，保证测试结果的准确性。其低导通电阻和高隔离电压也使其成为电池管理系统（BMS）中电压采样通道的理想选择，可用于隔离不同电池单元的监测电路，提升系统安全性。
　　医疗电子设备要求高绝缘性和长期稳定性，G3VM-41LR10的增强隔离和长寿命特性正好满足这些需求，常见于病人监护仪、诊断设备和便携式医疗仪器中的信号隔离环节。此外，在通信系统中，该器件可用于电源或信号路径的远程控制，实现热插拔保护或故障隔离。
　　随着智能制造和物联网的发展，G3VM-41LR10也被集成于智能传感器节点、远程I/O模块和嵌入式控制系统中，作为微弱信号或电源的固态开关。其表面贴装封装支持自动化贴片生产，有利于大规模制造。总之，任何需要安全隔离、低功耗驱动、高可靠性和快速响应的信号切换场景，都是G3VM-41LR10的理想应用领域。

G3VM-41LR5,G3VM-61GLR10,SSR-M2TV,ADG419BRUZ,TLP222G