类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1路（单通道）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型工作条件）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：8 Ω（最大值，典型为6 Ω）
　　输出漏电流（ILEAK）：1 μA（最大值）
　　负载电压（VLOAD）：60 V（最大值）
　　连续通态电流（ION）：260 mA（最大值）
　　峰值通态电流（Ipeak）：520 mA
　　开启时间（tON）：0.5 ms（典型值）
　　关断时间（tOFF）：0.5 ms（典型值）
　　隔离电压：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-4（表面贴装）
　　引脚数量：4
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　绝缘材料：聚酰亚胺中心层，提供高介电强度

G3VM-41LR的最大优势之一是其超低的导通电阻，在同类产品中表现优异，确保在通过较大电流时产生极小的功率损耗和温升，从而提高了系统能效并减少了散热需求。其内部采用双MOSFET结构，源极串联连接方式，使得输出端能够在交流或直流负载下实现双向控制，并有效防止反向电流流动。这种设计不仅增强了安全性，还扩展了应用灵活性。该器件的输入侧仅需微弱的驱动电流即可激活，兼容TTL或CMOS逻辑电平，可以直接由微控制器GPIO口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
　　另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能，高达5000 Vrms的隔离电压使其适用于对安全要求较高的工业环境，如PLC模块、医疗设备和电力监控系统。由于没有机械触点，G3VM-41LR的使用寿命远超传统电磁继电器，可承受数十亿次的开关操作而不会出现性能衰减。同时，它不受外部磁场干扰，也不会产生电磁噪声，适合用于精密电子系统。
　　该器件还具备良好的抗冲击和振动能力，适用于恶劣工业环境。其SOP-4封装符合RoHS环保标准，支持自动贴片生产工艺，有利于大规模生产。此外，G3VM-41LR具有较快的开关响应速度（典型0.5ms），可用于需要实时控制的场合，例如自动测试设备中的信号路由切换。尽管其额定电流相对较小，但在合理散热条件下仍可稳定驱动中小型直流负载，如传感器、小型电磁阀、LED阵列等。

G3VM-41LR广泛应用于各种需要高可靠性、长寿命和小体积开关解决方案的领域。在工业自动化系统中，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中作为固态开关元件，用于控制传感器、执行器或其他低功率设备。在测试与测量设备中，它被用作自动测试系统（ATE）中的信号切换开关，因其无触点特性可避免信号污染和接触氧化问题，保证测试精度和重复性。
　　在通信设备中，G3VM-41LR可用于线路切换、电源管理或状态指示控制，其快速响应和低噪声特性有助于提升系统响应速度和信号完整性。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和稳定的工作性能，可用于病人监护仪、诊断设备中的安全隔离控制回路。
　　此外，该器件也常见于办公自动化设备（如打印机、扫描仪）、智能家居控制系统以及电池供电的便携式设备中，用于电池电源的通断控制或负载切换。由于其支持表面贴装工艺，非常适合现代电子产品的小型化和轻量化趋势。在机器人控制系统中，也可用于电机驱动信号的隔离与切换，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。

G3VM-41VY
　　G3VM-61GL
　　G3VM-41GR
　　TLP3543A
　　AQV25G