类型：MOSFET输出型光继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：S-VSON4（超小型无引线封装）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型工作条件）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值60 mΩ，最大值100 mΩ
　　输出耐压（VOFF）：60 V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：600 mA（最大值）
　　峰值负载电流（IOP）：1.2 A
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值0.3 ms
　　关断时间（Turn-off Time）：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　LED波长兼容性：近红外（~950 nm）
　　绝缘材料：符合UL、cUL、VDE认证标准

G3VM-41HR的核心特性之一是其极低的导通电阻（RON），典型值仅为60 mΩ，最大不超过100 mΩ，这一性能显著降低了信号路径上的功率损耗和电压降，使其非常适用于低电压、低电流信号的精密切换应用。在电池供电设备或高密度PCB布局中，低RON意味着更高的能效和更少的热积累，有助于提升系统整体稳定性。该器件采用先进的光控垂直结构MOSFET设计，利用集成在芯片上的光敏栅极驱动电路，在LED发光后产生电荷，控制MOSFET的导通与截止。这种结构避免了传统机械继电器的磨损问题，同时实现了纳秒级的电荷响应速度，尽管实际开关时间受外部RC常数影响，但其典型导通时间仍可控制在0.3毫秒以内，关断时间约为0.2毫秒，远快于电磁继电器。
　　另一个关键特性是其高隔离性能。G3VM-41HR提供高达5000 Vrms的输入输出隔离电压，满足工业级和医疗设备对电气安全的严格要求。该隔离能力不仅防止高压窜入控制侧造成损坏，还能有效抑制共模噪声和地环路干扰，提升系统的抗干扰能力和信号完整性。此外，该器件采用S-VSON4封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度组装需求。其无铅、无卤素设计也符合RoHS和WEEE环保指令要求，适合全球市场应用。
　　G3VM-41HR支持双向导通，输出端MOSFET结构允许电流双向流动，因此既可用于直流信号切换，也可用于交流信号或双极性模拟信号的控制，扩展了其应用灵活性。器件的输入驱动电流低至5 mA即可可靠触发，兼容TTL、CMOS逻辑电平输出，无需额外驱动电路，简化了系统设计。同时，其宽工作温度范围（-40°C至+110°C）确保在极端环境下仍能稳定运行，适用于户外设备、工业现场和汽车电子等严苛应用场景。

G3VM-41HR广泛应用于需要小型化、高可靠性与低功耗控制的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试仪中，该器件用于精密信号路由和通道切换，得益于其低导通电阻和高重复性，能够保证测试信号的完整性与一致性。在通信系统中，如基站模块、光纤收发器和网络交换设备，它被用于电源管理、信号通断控制和冗余切换电路，其快速响应和高隔离特性有助于提升系统稳定性和抗扰能力。
　　在工业自动化领域，G3VM-41HR常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口模块和远程I/O单元中，作为数字输出或模拟信号开关，替代传统机械继电器，减少维护成本并延长设备寿命。其表面贴装封装也便于大规模自动化生产，提高制造效率。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备和生命支持系统，该器件因其高隔离电压和无机械磨损特性而备受青睐，确保患者安全和设备长期可靠运行。此外，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池管理、音频切换和摄像头模组控制中，G3VM-41HR凭借其微型化和低功耗优势，成为理想的选择。其双向导通能力也使其适用于音频信号切换和USB数据线路的保护与切换应用。

TLP3102
　　G3VM-41GR
　　G3VM-41BR
　　AQV252G
　　PCF211X