类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1（单通道）
　　输入正向电压（VF）：典型值1.2V（IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：最大50mA
　　输出负载电压（VLOAD）：60V（最大）
　　输出连续通态电流（IO）：480mA（最大）
　　导通电阻（RON）：典型值9Ω，最大15Ω（在IF=5mA, VDS=5V条件下）
　　隔离电压（VISOL）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-ON）：典型值1ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值0.5ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON4（超薄小外形无引线封装）
　　尺寸：约2.0 × 1.5 × 0.7mm
　　引脚数量：4
　　极性：非极性输出（可双向导通）

G3VM-41GR7的最显著特性之一是其低导通电阻性能，在标准工作条件下典型值仅为9Ω，最大不超过15Ω。这一特性使其在信号传输过程中能够显著降低电压降和功率损耗，提升系统整体能效。低RON特别适用于模拟信号切换、精密测量仪器以及电池供电设备等对功耗敏感的应用。此外，由于MOS FET输出端具有双向导通能力，G3VM-41GR7可以用于交流信号或双向直流信号的控制，极大地增强了其应用灵活性。该器件无需外部偏置电路即可实现正常工作，简化了外围设计。
　　另一个关键特性是其输入驱动能力优化。G3VM-41GR7仅需5mA的LED驱动电流即可确保稳定导通，兼容低电压逻辑电平（如3.3V或5V微控制器输出），无需额外的驱动电路或电平转换器，降低了系统复杂度和成本。其内部采用高效率红外LED，光耦合效率高，确保了长期使用的稳定性和可靠性。此外，器件具备高达5000Vrms的电气隔离能力，有效防止高压窜入低压控制侧，保护操作人员和敏感电子元件，满足工业安全标准。
　　在响应速度方面，G3VM-41GR7表现出色，开通时间典型值为1ms，关断时间仅为0.5ms，远快于传统电磁继电器。这使得它非常适合用于高速数据采集系统、自动测试设备（ATE）和通信多路复用等需要快速切换的应用。同时，由于无机械触点，不存在弹跳、磨损或氧化问题，寿命可达数十亿次操作，远超机械继电器的百万次级别。封装采用TSON4小型无铅设计，不仅节省PCB空间，还支持回流焊工艺，适用于现代自动化生产线。

G3VM-41GR7广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和低功耗开关解决方案的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，该器件常被用于精密信号路径的切换，因其低导通电阻和双向导通特性，能够准确传递微弱模拟信号而不会引入明显失真或衰减。在工业自动化控制系统中，它可用于PLC模块、传感器信号调理电路和远程I/O单元中的信号隔离与切换，提升系统的抗干扰能力和稳定性。
　　在通信设备领域，G3VM-41GR7可用于音频/视频信号路由、数据总线切换以及网络交换设备中的通道选择，其快速响应和低噪声特性确保信号完整性。医疗电子设备，如病人监护仪、便携式诊断设备等，也广泛采用此类光继电器，以满足严格的电气安全和长期运行可靠性要求。
　　此外，该器件适用于电池供电的便携式设备，如手持测试仪、智能仪表和物联网终端，因其低驱动电流和低静态功耗，有助于延长电池使用寿命。在汽车电子系统中，可用于车载信息娱乐系统的音频切换或辅助控制电路。由于其无磁结构，不会产生电磁干扰，也不会受外部磁场影响，因此在高精度仪器和敏感测量环境中具有独特优势。

G3VM-41GR2
　　G3VM-61GR7
　　TLP3543A
　　CPC1017N