类型：MOSFET输出固态继电器
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　输出导通电阻（RON）：0.05Ω（最大值，典型应用条件下）
　　输出耐压（VDS）：60V
　　连续通态电流（ID(on)）：2A
　　峰值通态电流（ID(peak)）：6A
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Vi-o）：5000Vrms
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：1ms / 0.5ms（典型值）
　　封装类型：TSON-4（超小型表面贴装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：4

G3VM-41GR5的核心优势在于其超小型封装与高性能输出能力的结合，使其成为现代电子系统中替代传统电磁继电器的理想选择。首先，该器件采用了先进的TSON-4封装技术，体积仅为几立方毫米，显著节省了印刷电路板（PCB）的空间，特别适用于高集成度、小型化的便携式设备和模块化系统。其次，在电气性能方面，G3VM-41GR5具有极低的导通电阻（RON），典型值低于0.05Ω，这不仅降低了导通状态下的功耗和温升，还提高了能量传输效率，尤其适合用于电池供电或对热管理要求较高的应用。
　　另一个关键特性是其优异的开关速度。相比传统机械继电器毫秒级甚至更慢的响应时间，G3VM-41GR5的开启和关断时间分别仅为1ms和0.5ms，能够实现快速、精准的信号或电源路径切换，满足高频操作需求。同时，由于没有机械触点，不会产生电弧、火花或接触抖动，因此在易燃、易爆或高电磁干扰环境中具有更高的安全性与稳定性。
　　该器件还具备出色的隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的绝缘电压，确保了控制系统与负载之间的安全电气隔离，有效防止噪声串扰和高压回流对控制端的影响。此外，G3VM-41GR5支持双向导通，适用于交流和直流负载的控制，增强了其应用灵活性。器件内部集成有齐纳二极管保护机制，能够抑制栅极电压波动，提升MOSFET工作的稳定性和耐用性。
　　从可靠性角度看，G3VM-41GR5无机械磨损，寿命远超传统继电器，可达数十万次甚至上百万次开关操作。其耐振动、耐冲击的特性也使其在移动设备、车载系统或工业现场等恶劣环境下表现稳定。最后，该产品符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造流程。

G3VM-41GR5凭借其小尺寸、高可靠性和优良的电气性能，被广泛应用于多个高科技和工业领域。在测试与测量设备中，它常用于自动测试系统（ATE）中的信号路由切换，因其低导通电阻和高重复性可保证测量精度不受影响。在通信系统中，可用于程控交换、光模块电源管理或射频信号路径选择，提供快速、静音的开关动作。
　　在工业自动化控制系统中，G3VM-41GR5可用于PLC模块、传感器接口、执行器驱动等场合，实现控制器与现场设备之间的安全隔离与信号传递。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模SMT贴片工艺，提高生产效率并降低组装成本。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、诊断仪器和便携式治疗装置，G3VM-41GR5的无触点设计避免了电磁干扰和接触氧化问题，有助于提升设备的安全性和长期稳定性。此外，在消费类电子产品中，如智能家居控制模块、智能电表、安防系统等，该器件可用于电源通断控制、负载切换或电池管理单元，满足对小型化和长寿命的需求。
　　由于其支持双向电流流通，也可用于音频信号切换、电池充放电路径控制以及直流电机的正反转驱动电路中。在新能源领域，如太阳能逆变器或储能系统的监控单元中，G3VM-41GR5可用于采样电路或多路电源选择，发挥其高绝缘耐压和低功耗的优势。总体而言，凡是需要安静、快速、长寿命且高可靠开关功能的场合，G3VM-41GR5都是一个极具竞争力的解决方案。

G3VM-41GR2
　　G3VM-61GR5
　　APV0115GH