类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（连续）
　　峰值输入电流（IFP）：1A（脉冲宽度100ms以内）
　　输出漏源电压（VDS）：60V
　　输出电流（ID）：2A（连续）
　　峰值输出电流（IDP）：6A（脉宽10ms，占空比1/10）
　　导通电阻（RON）：0.08Ω（最大值）
　　隔离电压：5000Vrms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON-5（表面贴装）
　　回流焊温度：260°C（最大，符合JEDEC标准）

G3VM-41GR的核心特性之一是其超低导通电阻，最大仅为0.08Ω，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功耗和温升，提高了系统的整体能效。低导通电阻意味着在相同负载电流下，器件的电压降更小，发热更少，从而允许更高的持续负载能力。这对于电池供电设备或对热管理要求严格的系统尤为重要。此外，低RON有助于减少信号衰减，在模拟开关应用中可保持较高的信号完整性。该器件采用先进的MOSFET输出结构，确保了在全电压范围内均匀的电流承载能力，并避免了传统机械继电器因接触电阻变化带来的不稳定性。得益于欧姆龙独有的制造工艺，即使在长时间运行或高温环境下，导通电阻的变化也非常小，保证了长期使用的可靠性。
　　另一个关键特性是其高隔离性能，提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，满足工业级安全标准，有效防止高压窜入控制电路，保护低压侧的微控制器或其他敏感元件。这种高绝缘强度使其适用于多种严苛环境，如工业自动化控制系统中存在高压干扰的场合。同时，光耦合结构实现了完全的电气隔离，消除了接地环路问题，提升了系统的抗干扰能力。器件响应速度快，开关时间通常在微秒级别，远快于传统电磁继电器，适用于需要高速切换的应用，如数据采集系统中的多路复用控制或高频PWM信号切换。
　　G3VM-41GR采用TSON-5表面贴装封装，体积小巧，节省PCB空间，便于自动化贴片生产，提高组装效率。该封装还具有良好的散热性能，通过PCB焊盘有效传导热量，增强功率处理能力。器件无铅且符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品设计。此外，由于没有机械运动部件，不存在触点磨损、弹跳或电弧现象，因此寿命极长，可达数十万次以上操作，大大减少了维护成本和系统停机风险。

G3VM-41GR广泛应用于需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器信号切换、气动/液压阀控制以及小型电机驱动电路中，作为无触点开关替代传统电磁继电器。在测试与测量设备中，该器件可用于多路模拟开关、自动测试设备（ATE）中的信号路由选择，因其低导通电阻和高信号保真度而受到青睐。通信设备中也常见其身影，用于线路切换、电源管理单元中的负载开关控制等场景。在医疗电子设备中，由于其高隔离性和低电磁干扰特性，被用于病人连接设备的电源隔离和信号通断控制，确保使用安全。此外，消费类电子产品如智能家居控制器、智能电表、安防系统等也采用G3VM-41GR实现高效、静音的开关功能。由于支持交流和直流负载，它还可用于LED照明调光、加热元件控制以及电池管理系统中的充放电路径切换。

G3VM-41GR2,G3VM-61GR