类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1（单通道）
　　最大负载电压（AC/DC）：40V
　　最大连续通态电流：2A
　　通态电阻（Ron）：典型值50mΩ
　　输入LED正向电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　LED反向耐压：5V
　　响应时间（开/关）：1ms以下
　　隔离电压：5000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON4（小型薄型表面贴装）
　　引脚数：4
　　尺寸：约2.8×2.1×1.0mm

G3VM-402JTR的最大优势之一是其超低的导通电阻，典型值仅为50mΩ，这显著降低了在大电流通过时的功耗和发热，提高了系统的整体效率。对于需要长时间导通或承载较大电流的应用来说，这一特性至关重要。同时，由于没有机械触点，该器件不会产生电弧或接触弹跳，极大提升了开关动作的稳定性和重复性。此外，低导通电阻还意味着输出端的电压降非常小，有助于保持负载端电压的稳定性，尤其适用于精密模拟信号切换或电池供电系统中的电源路径控制。
　　G3VM-402JTR采用了先进的光电驱动MOSFET技术，实现了输入与输出之间的完全电气隔离，隔离电压高达5000Vrms，能够有效防止高压侧对控制电路的干扰或损坏，保障系统安全。其输入侧仅需5mA的LED驱动电流即可可靠触发，兼容大多数微控制器的I/O口输出能力，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。该器件具有快速的开关响应时间（小于1ms），可满足高速切换需求，如自动测试设备中的信号路由切换。
　　该继电器具备良好的温度稳定性，可在-30°C至+85°C的宽温范围内正常工作，适用于工业级环境。其TSON4小型化封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提高制造效率。G3VM-402JTR无机械磨损，寿命远超传统电磁继电器，可达数十万次甚至百万次以上的开关操作。此外，它不受外部磁场影响，抗振动和冲击能力强，适合用于移动设备或工业现场等复杂电磁环境。
　　由于其固态结构，G3VM-402JTR在开关过程中无噪声发射，也不会产生电磁干扰（EMI），有利于提升整个系统的电磁兼容性（EMC）。该器件还具备较高的耐湿性和耐污染能力，增强了在恶劣环境下的可靠性。综合来看，G3VM-402JTR是一款高性能、高可靠性的光耦MOSFET继电器，适用于对安全性、稳定性和寿命有严苛要求的应用场景。

G3VM-402JTR广泛应用于多种需要高可靠性和小体积开关解决方案的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的数字量输出控制、传感器信号切换以及小型执行器的驱动电路中，其长寿命和抗干扰能力特别适合工厂环境中频繁启停的控制任务。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-402JTR用于精确地切换模拟或数字信号通道，得益于其低导通电阻和无触点特性，可减少信号失真并提高测量精度。
　　在通信设备中，该器件可用于电源管理单元中的负载开关、热插拔控制或冗余电源切换，确保系统在不断电情况下平稳运行。由于其快速响应和低噪声特性，也适用于音频或视频信号路由系统，避免传统继电器在切换时产生的爆裂声或干扰。在医疗电子设备中，如便携式监护仪、诊断仪器等，G3VM-402JTR提供安全可靠的电气隔离和稳定的信号控制，满足医疗设备对安全性和稳定性的严格要求。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、智能电表、安防系统和消费类电子产品中，作为电池充放电控制、电源通断管理或外设切换的开关元件。其表面贴装封装使其非常适合现代高密度SMT生产工艺，广泛应用于各类紧凑型电子模块的设计中。

G3VM-402JR,G3VM-61E101U