类型：MOSFET输出光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：USOP-4（超小型表面贴装）
　　输入正向电压（VF）：典型值1.2V，最大值1.5V（IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：最大50mA
　　输出导通电阻（RON）：最大350mΩ
　　输出漏电流（IDOFF）：最大1μA（常温）
　　负载电压（VLOAD）：最大12V
　　连续负载电流（IO）：最大600mA
　　绝缘耐压（Viso）：5000Vrms（1分钟）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-on/Turn-off）：典型值0.5ms/0.5ms

G3VM-3F光耦继电器的核心优势在于其超小型表面贴装封装与高性能输出特性的完美结合。该器件采用先进的光控MOSFET技术，能够在输入侧LED导通后，通过光敏元件激活输出侧的功率MOSFET，从而实现负载电路的接通。这种全固态结构消除了传统电磁继电器中存在的机械触点磨损、弹跳和寿命限制等问题，显著提升了系统的长期可靠性。其输出端为单刀单掷（SPST）常开型结构，导通时呈现极低的导通电阻（最大350mΩ），确保在大电流传输时功耗最小化，减少发热，提高能效。
　　该器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，有效防止高压窜入控制电路，保障系统安全。其输入侧仅需低至5mA的驱动电流即可完全导通，兼容TTL、CMOS等多种逻辑电平，无需额外的驱动芯片，简化了接口设计。响应速度方面，G3VM-3F的开通和关断时间均在0.5ms以内，远快于传统电磁继电器，适用于需要快速切换的应用场景。
　　由于采用表面贴装封装，G3VM-3F支持自动化贴片生产，提高了组装效率和产品一致性。其紧凑的尺寸有助于缩小PCB布局面积，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。此外，该器件无电磁干扰（EMI）发射，也不会受到外部磁场影响，适用于高密度集成和敏感信号处理环境。工作温度范围宽，可在-20°C至+85°C的环境下稳定运行，适应多种工业和商业应用场景。

G3VM-3F广泛应用于需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O接口板、传感器信号切换和小型执行器控制，实现控制电路与现场设备之间的安全隔离。在测试与测量设备中，该器件可用于自动测试设备（ATE）中的信号路由、多路复用开关和精密仪器内部的电源通断控制，因其低漏电流和低导通电阻特性，可保证测量精度不受影响。
　　在通信系统中，G3VM-3F可用于电话交换设备、网络路由器和基站中的信号切换和电源管理模块，提供稳定的无噪声开关功能。消费类电子产品如智能家居控制器、智能电表、安防系统等也广泛采用该器件进行低压信号控制和负载切换。
　　此外，在医疗电子设备中，由于其高绝缘耐压和无电磁干扰特性，G3VM-3F可用于病人监护仪、便携式诊断设备等对安全性和稳定性要求极高的场合。在电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机等便携式设备中，该器件可用于电池充放电回路的控制，实现高效、可靠的电源管理。其表面贴装特性也使其成为高密度PCB设计的理想选择。

G3VM-6FR,G3VM-61R,G3VM-41VY