类型：MOS FET继电器（光耦继电器）
　　通道数：1（单通道）
　　封装形式：SOIC-6（超小型表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型驱动条件）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
　　输出耐压（VDS）：35 V（最大值）
　　连续通态电流（ID(on)）：300 mA（最大值）
　　峰值通态电流（ID(peak)）：600 mA
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON）：典型值0.5 ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值0.5 ms
　　LED波长：940 nm（红外）
　　输入-输出电容：典型值0.8 pF

G3VM-355F的核心特性在于其基于光控MOS FET的固态开关机制，这种设计从根本上消除了机械触点带来的磨损、弹跳和电弧问题，从而实现了几乎无限的电气寿命。该继电器内部集成了一个高效率的GaAs红外发光二极管，当输入端施加适当的正向电流时，LED发出红外光，激发光电二极管阵列产生电压，驱动输出端的功率MOS FET导通。由于MOS FET具有极低的导通电阻（典型值仅为8 Ω），因此在导通状态下功耗极低，减少了发热并提高了系统效率。此外，低RON也意味着在传输模拟信号时引入的压降非常小，使其不仅适用于数字开关，也可用于精密模拟信号的切换。
　　G3VM-355F的封装采用SOIC-6形式，尺寸小巧，非常适合现代高密度印刷电路板设计。其表面贴装工艺便于自动化生产，提高了组装效率和可靠性。该器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，满足严格的安规要求，适用于需要高安全等级的应用场景。同时，其输入端仅需5 mA的驱动电流即可实现完全导通，兼容低功耗微控制器和逻辑电路，无需额外的驱动晶体管或缓冲器，简化了外围电路设计。
　　另一个显著优势是其快速的开关响应时间，开通和关断时间均在0.5 ms以内，远快于传统电磁继电器，适用于需要高速切换的应用，如自动测试设备（ATE）中的信号路由或多路复用系统。此外，该器件无机械运动部件，因此不受振动和冲击影响，能够在恶劣环境中稳定工作。G3VM-355F还具有极低的输入-输出电容（典型值0.8 pF），这有助于减少高频信号的串扰和失真，适合高频或高频模拟信号的传输应用。综合来看，G3VM-355F在性能、尺寸、可靠性和安全性方面达到了高度平衡，是替代传统电磁继电器的理想选择。

G3VM-355F广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高可靠性、小尺寸和低功耗的场合。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O模块，用于控制传感器、执行器或小型负载的通断。由于其固态结构和长寿命，特别适合频繁操作的环境。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-355F被用来切换各种信号路径，包括低电平模拟信号和数字信号，其低导通电阻和低泄漏电流确保了测量精度。通信设备中也大量使用该器件，用于信号路由、线路切换和电源管理，尤其是在需要电气隔离的接口电路中。
　　在医疗电子设备中，G3VM-355F因其高隔离电压和高可靠性而受到青睐，常用于病人连接设备中的信号隔离和电源控制，确保患者安全。消费类电子产品，如高端音频设备和智能家居控制系统，也利用其静音操作和无触点特性来提升用户体验。此外，在电池供电的便携式设备中，该继电器的低驱动电流和低静态功耗有助于延长电池寿命。由于其支持交流和直流负载切换，G3VM-355F还可用于电源管理系统中的负载开关，例如在多电源系统中实现主备电源的无缝切换。总之，任何需要安全隔离、快速响应、长寿命和紧凑设计的开关应用，都是G3VM-355F的理想应用场景。

G3VM-351F
　　G3VM-455F
　　TLP3545A
　　CPC1102N