类型：MOS FET继电器（双MOSFET输出）
　　隔离电压：5000 Vrms（AC，1分钟）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值35 Ω，最大值50 Ω
　　连续负载电流（IO）：120 mA（最大）
　　峰值负载电流（Iopk）：360 mA（1秒内）
　　负载电压（VOL）：350 V（峰值）
　　动作时间（ton）：典型值1 ms
　　释放时间（toff）：典型值0.5 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP4（表面贴装）

G3VM-351E的核心优势在于其采用的光电MOSFET驱动技术，实现了真正的无触点开关操作，从根本上避免了传统机械继电器因电弧、接触氧化或机械疲劳导致的失效问题。该器件内部集成一个高效率红外LED与光敏栅极驱动电路，当输入侧LED通电发光时，光线激活输出侧的MOSFET栅极，使其导通，从而连接外部电路。由于采用了双MOSFET串联结构，输出端具备优良的双向阻断能力，即使在高电压下也能确保安全关断，防止漏电流引发误动作。
　　该器件的输出导通电阻低至典型值35Ω，最大不超过50Ω，这使得其在传输信号时功耗较低，温升可控，有利于提高系统整体能效。同时，其最大连续负载电流可达120mA，峰值电流支持360mA（脉冲宽度1秒以内），能够满足大多数中小功率直流负载的驱动需求，例如传感器电源控制、小型电磁阀驱动或电池管理系统中的开关应用。
　　另一个关键特性是其高达350V的负载电压承受能力，使其可应用于较高电压的直流系统中，如48V通信电源或工业PLC模块。配合5000Vrms的电气隔离电压，G3VM-351E在高压与低压电路之间提供了可靠的安全屏障，有效防止干扰传播和人身安全事故。
　　响应速度方面，G3VM-351E的动作时间（ton）典型值为1ms，关断时间（toff）仅0.5ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒响应，适用于需要快速切换的应用场景，如自动测试设备（ATE）中的通道切换或多路数据采集系统的信号路由。
　　此外，SOP4表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。器件工作温度范围宽达-30°C至+85°C，适应严苛工业环境，且无需外接缓冲电路即可直接驱动感性或容性负载，在简化设计的同时提升了系统稳定性。

G3VM-351E因其高隔离性、小体积和高可靠性，广泛应用于多个工业和技术领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块中作为信号切换元件，实现对传感器、执行器等外围设备的精准控制。由于其无触点特性，避免了传统继电器在频繁开关过程中产生的电火花和磨损，显著延长了系统使用寿命。
　　在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多通道示波器中，G3VM-351E被用作多路复用开关，用于切换不同通道的信号路径。其快速响应时间和低导通电阻保证了信号完整性，减少传输失真，尤其适合高频或精密模拟信号的切换。
　　通信设备中也常见其身影，例如在电信机柜、基站电源管理或光纤交换模块中，用于远程控制电源通断或配置电路状态。其高隔离电压和抗干扰能力有助于提升通信链路的稳定性和安全性。
　　此外，在医疗电子设备中，G3VM-351E可用于患者连接设备的电源隔离控制，确保电气安全符合IEC 60601等医疗标准。其无铅环保设计也符合医疗器械对材料的严格要求。
　　新能源系统如太阳能逆变器、储能管理系统（BMS）中，该器件可用于电池组间的均衡控制或故障隔离，利用其双向阻断能力和耐压性能保障系统安全运行。消费类高端电子产品中，如智能楼宇控制系统、安防监控设备等，也逐步采用此类固态继电器替代传统电磁部件，以提升产品可靠性和用户体验。

G3VM-352E
　　G3VM-61E