类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1（单通道）
　　封装形式：SSLP-4（超小型表面贴装封装）
　　输入正向电压（VF）：典型值1.15V（IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入正向电流（IF）：最大50mA
　　输出导通电阻（RON）：最大70mΩ（IF=5mA, VOUT=5V）
　　输出漏电流（ILEAK）：最大1μA（VOUT=60V）
　　输出耐压（VOFF）：60V（最大）
　　输入-输出隔离电压（VISOL）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：典型值1ms / 0.5ms
　　绝缘电阻：最小1000MΩ（500VDC）
　　回流焊兼容性：支持JEDEC J-STD-020回流焊曲线

G3VM-2F的最大特点之一是其超小型SSLP-4封装，尺寸仅为约2.0mm × 2.0mm × 1.0mm，非常适合高密度印刷电路板设计和空间受限的应用场景。这种封装不仅节省了宝贵的PCB面积，还支持全自动化的表面贴装工艺，提高了生产效率和组装可靠性。由于采用固态MOS FET作为输出开关元件，G3VM-2F没有机械磨损问题，因此具备极长的使用寿命，可承受数十亿次的开关操作而不会出现性能退化，远超传统电磁继电器。此外，该器件在开关过程中不会产生电弧或机械振动，确保了安静、无干扰的操作环境，特别适用于对电磁干扰敏感的精密仪器。
　　G3VM-2F具有极低的导通电阻（RON），典型值低于70mΩ，这意味着在导通状态下功耗极小，发热量低，有助于提升系统的整体能效并简化热管理设计。低RON也使得该器件能够承载相对较高的负载电流（可达数百毫安级别），同时保持较小的电压降，适用于模拟信号切换和数字信号控制等多种应用场景。其输入侧仅需微弱的驱动电流（通常5-10mA即可完全导通），可直接由微控制器I/O口或逻辑门电路驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，确保了高压应用中的安全性和抗干扰能力。出色的绝缘电阻和低漏电流特性使其在高阻抗信号路径中表现优异，适用于高精度测量设备中的信号路由。G3VM-2F还具备良好的抗冲击和抗振动性能，适用于恶劣工业环境。其符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品环保要求。此外，器件经过严格的老化和可靠性测试，确保在各种工作条件下稳定运行。

G3VM-2F广泛应用于需要微型化、高可靠性和长寿命开关功能的各类电子设备中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器接口和过程控制系统中，作为数字信号或小功率负载的隔离控制开关。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-2F因其低导通电阻和低漏电流特性，能够精确切换模拟信号路径，保证测量精度。在通信系统中，可用于信号路由、线路切换和电源管理模块，实现高速、低噪声的信号控制。
　　医疗电子设备对安全性和可靠性要求极高，G3VM-2F的高隔离电压和无机械触点特性使其成为医疗监测仪器、便携式诊断设备和患者连接设备中理想的隔离开关元件。在消费类电子产品中，如高端音频设备、智能家居控制模块和电池管理系统中，G3VM-2F可用于静音开关、电源切换和信号隔离，提升用户体验。此外，该器件也适用于汽车电子中的辅助控制电路、车载信息娱乐系统和电池监控单元，尤其适合需要表面贴装和小型化设计的场景。由于其支持回流焊工艺，G3VM-2F非常适合现代SMT生产线，广泛用于批量生产的电子产品中。

G3VM-4E3Y,G3VM-6EL,G3VM-4F2,G3VM-2H2