类型：MOS FET输出型固态继电器
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：220 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 7.5 Ω，最大值 11 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（开）：典型值 0.2 ms
　　响应时间（关）：典型值 0.3 ms
　　封装形式：S-MINI (4引脚)

G3VM-22F0的核心优势在于其采用光控MOS FET输出结构，这种设计使得器件能够在没有机械运动部件的情况下完成电信号的接通与断开操作，从而彻底避免了传统电磁继电器常见的触点磨损、弹跳、电弧和寿命受限等问题。其输出部分由两个串联的N沟道MOSFET组成，以背靠背方式连接，能够支持交流和直流负载的双向导通，这在需要切换双极性信号或交流电源的应用中尤为关键。当输入侧LED被施加适当的正向电流（通常为5mA）时，发出的红外光激活光电探测器，进而驱动栅极电路使MOSFET导通，形成低阻抗通路；当LED关闭时，内部电路迅速释放栅极电荷，使MOSFET截止，切断电流路径。
　　该器件的导通电阻极低，典型值仅为7.5Ω，最大不超过11Ω，这意味着在额定电流下压降小、功耗低、发热少，特别适合用于精密模拟信号传输或电池供电的低功耗系统。同时，由于导通电阻稳定且接近纯阻性，不会引入明显的非线性失真，因此可用于音频信号或传感器信号的切换。此外，G3VM-22F0具有出色的温度稳定性，即使在-40°C至+85°C的宽温范围内，其电气性能仍能保持一致，满足工业级应用需求。
　　另一个显著特点是其高电气隔离能力，输入与输出之间的隔离电压高达5000 Vrms，有效防止高压窜入控制侧造成损坏，提升了系统的安全性。器件响应速度快，开启时间仅0.2ms，关闭时间约0.3ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应，适合高频或高速切换场合。其封装采用S-MINI小型化表面贴装设计，体积紧凑，节省PCB空间，并兼容回流焊工艺，适合大规模自动化生产。整体无需外部保护二极管或缓冲电路，简化了外围设计，降低了系统复杂度和成本。

G3VM-22F0因其优异的电气性能和小型化封装，广泛应用于多种需要可靠信号切换的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块中的数字量输出通道、传感器信号切换、气动/液压阀控制等场景，取代传统电磁继电器以提高系统寿命和抗干扰能力。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器中，它被用来切换多路模拟或数字信号，得益于其低导通电阻和低泄漏电流，能够保证测量精度不受影响。
　　在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断设备等，G3VM-22F0凭借其无触点、无噪音、无电磁干扰的特性，成为理想的信号隔离与切换元件，有助于提升设备的安全性和稳定性。在通信系统中，可用于电话线路切换、音频信号路由或电源极性反转控制，尤其适用于需要频繁动作或长期运行而无法维护的远程终端设备。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电池管理、电源切换、LED调光控制等应用。由于其支持双向导通，还可用于H桥电路中的低端开关、电机方向控制或电容充放电路径的选择。在楼宇自控系统中，可用于照明控制、温控阀门驱动等低功率负载的管理。总之，任何需要长寿命、高可靠性、小尺寸和低功耗开关功能的应用，都是G3VM-22F0的理想使用场景。

G3VM-21FR,G3VM-41GR2,G3VM-61EY