类型：MOS FET继电器（单通道）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值 1.8 Ω，最大值 2.5 Ω
　　输出连续通态电流（IO）：600 mA（常温下）
　　输出峰值电流（IOP）：1.2 A
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　隔离电压（Viso）：5,000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　封装形式：SOP-4（表面贴装）
　　触发方式：非反相逻辑驱动
　　响应时间（开/关）：典型值 1 ms / 0.5 ms
　　回流焊兼容性：符合JEDEC标准，适用于自动化贴片工艺

G3VM-21LR11TR的核心优势在于其低导通电阻与高负载切换能力的完美结合。该器件的输出部分采用一对背对背连接的N沟道MOSFET结构，能够实现交流或直流负载的双向控制，同时有效防止反向电流流动，提高电路安全性。其导通电阻低至1.8Ω，显著降低了在大电流通过时的功率损耗和发热，从而提升了整体能效并减少了散热设计的复杂性。这种低RON特性使其非常适合用于精密模拟信号切换或驱动中小功率负载，如传感器、LED阵列、小型电机或加热元件。此外，得益于MOSFET的电压驱动特性，该继电器在关断状态下具有极高的阻断能力，漏电流极小，确保被控电路在断开时完全隔离。
　　另一个关键特性是其输入与输出之间的高电气隔离能力。G3VM-21LR11TR可提供高达5,000 Vrms的隔离电压，满足工业级安全标准，适用于需要强电与弱电隔离的应用场景，例如PLC模块、电源控制系统或医疗设备中的患者隔离区。该器件还具备优异的抗干扰能力，不受外部磁场影响，避免了传统电磁继电器在高频环境下的误动作问题。其响应速度快，开通和关断时间均在毫秒级别，支持高频切换操作，适用于自动测试设备（ATE）中对信号路径进行快速切换的需求。
　　从可靠性角度看，G3VM-21LR11TR没有机械触点，因此不存在接触弹跳、氧化或磨损等问题，寿命远超传统继电器，可达数十万次甚至上百万次切换操作。同时，它具备良好的抗震性能，适用于移动设备或工业现场等存在振动的环境。该器件采用无铅环保材料制造，符合RoHS指令要求，并支持现代回流焊接工艺，便于大规模自动化生产。内置的LED状态指示功能（需外接限流电阻）可帮助工程师直观判断输入信号是否正常，便于调试与维护。

G3VM-21LR11TR广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高可靠性、小尺寸和低功耗控制的场合。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块中，作为数字输出通道驱动传感器、电磁阀或报警装置。由于其快速响应和长寿命特性，也适用于自动测试设备（ATE）中的信号路由切换，能够在不引入额外噪声或接触电阻变化的情况下精确控制测试路径。在医疗电子设备中，该继电器可用于病人连接设备的电源或信号隔离，确保符合严格的电气安全标准。此外，在通信系统中，它可以用来切换射频或音频信号通道，尤其是在需要低插入损耗和高隔离度的多路复用架构中表现优异。
　　消费类电子产品和智能家居系统也开始采用此类固态继电器来替代传统电磁式元件，以提升产品的稳定性和耐用性。例如，在智能照明控制系统中，G3VM-21LR11TR可用于调光电路或LED灯组的分组控制；在安防监控系统中，则可用于摄像头电源的远程启停管理。在电池供电设备或便携式仪器中，其低驱动电流特性有助于延长电池续航时间。另外，由于其SOP-4封装体积小巧，非常适合高密度PCB布局，常见于数据采集卡、嵌入式控制器、工控HMI界面等紧凑型设备中。无论是直流电机控制、热敏打印头驱动，还是精密仪器内部的模拟开关网络，G3VM-21LR11TR都能提供稳定可靠的解决方案。

G3VM-21LR11
　　G3VM-21LR1