类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1
　　封装类型：DIP4
　　输入正向电压（VF）：1.25 V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输入电流（IF）：5 mA（最小值）
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：340 mA
　　导通电阻（RON）：8 Ω（最大值）
　　隔离电压：5000 Vrms
　　响应时间（ON）：0.3 ms（典型值）
　　响应时间（OFF）：0.2 ms（典型值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）

G3VM-21GR的核心优势在于其采用MOS FET作为输出开关元件，实现了真正的固态继电器功能。这种设计避免了传统机械继电器存在的触点氧化、弹跳和磨损问题，从而大幅提升了系统的可靠性与使用寿命。在导通状态下，其最大导通电阻仅为8Ω，能够有效降低功耗并减少发热，确保在持续负载条件下仍保持稳定性能。器件的输入端为一个红外发光二极管，当施加适当的正向电流（通常为5mA以上）时，会发出光线激活输出侧的MOSFET栅极，使其导通，从而控制外部电路的通断。整个过程完全通过光耦合实现电气隔离，隔离电压高达5000Vrms，能够在高压与低压系统之间提供安全可靠的信号传输。
　　该器件具有非常快的开关速度，典型导通时间为0.3ms，关断时间仅0.2ms，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应能力，因此非常适合用于高频切换或需要精确时序控制的应用场景。此外，由于其输出端本质上是一个双向导通的功率MOSFET结构，因此不仅可以用于直流负载控制，还能支持小电流交流信号的切换，灵活性较高。G3VM-21GR还具备良好的温度稳定性，在-30°C至+100°C的工作温度范围内能保持一致的电气特性，适用于各种恶劣环境下的工业应用。
　　另一个重要特点是其超小型DIP4封装形式，不仅节省PCB空间，而且便于手工焊接和自动化贴装。同时，该器件内部采用聚酰亚胺作为绝缘层材料，提供了优异的介电强度和长期可靠性。由于没有机械触点，不会产生电弧或电磁干扰，因此在对EMI敏感的系统中表现出色。整体来看，G3VM-21QR是一款集高隔离性、低功耗、高速度和长寿命于一体的高性能光电耦合器，是现代电子系统中实现安全、高效开关控制的理想选择。

G3VM-21GR广泛应用于需要电气隔离与固态开关功能的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的输入/输出接口，用于驱动传感器、执行器或中间继电器，实现对外部设备的安全控制。在测试与测量设备中，可用于自动测试仪（ATE）中的信号路由切换，因其无触点特性可避免接触不良导致的测试误差，提高测试重复性和精度。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和低漏电流特性，可用于患者连接部分与主控系统之间的信号隔离，保障使用安全。通信设备中也常见其身影，例如用于电话交换系统或网络接口单元中进行线路切换或状态监测。
　　此外，G3VM-21GR还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电回路控制，利用其低导通电阻特性减少能量损耗，提升系统效率。在消费类电子产品中，如智能家电、安防系统或楼宇自控系统中，也可用作静音开关元件，替代噪音大、寿命短的电磁继电器。由于其支持直流负载且响应速度快，特别适合用于LED照明调光控制、电机启停控制或加热元件的PWM调节等场景。在嵌入式控制系统中，单片机或DSP可以通过该器件安全地控制较高电压或电流的外围设备，而无需担心反向电压或噪声干扰影响主控芯片。总之，凡是在需要高可靠性、长寿命、快速响应和电气隔离的开关应用中，G3VM-21GR都是一个极具竞争力的解决方案。

G3VM-21LR
　　G3VM-41GR
　　TLP3558A
　　ACPL-M72T