类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　输入类型：DC输入（LED）
　　输出形式：单刀单掷（SPST）常开（NO）
　　最大负载电压（Vmax）：60 V
　　连续通态电流（Ion）：1.4 A
　　接通电阻（Ron）：典型值70 mΩ，最大100 mΩ
　　输入正向电流（IF）：最大50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出电容（Cout）：典型值11 pF
　　隔离电压（Viso）：5,000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：TSON-5（表面贴装）
　　尺寸（L×W×H）：约3.0×2.6×1.1 mm
　　回流焊兼容性：符合JEDEC J-STD-020标准
　　绝缘材料：满足UL、cUL、VDE认证要求

G3VM-21ER的核心优势之一是其超低的导通电阻，典型值仅为70 mΩ，最大不超过100 mΩ。这一特性使其能够在高电流应用中显著降低功耗和发热，提升系统整体效率。由于采用先进的MOSFET输出结构，该继电器在导通状态下表现为一个低阻通道，类似于理想开关，从而减少了电压降和能量损耗。这种低Ron特性特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的系统，如便携式医疗仪器、智能传感器节点和低功耗IoT设备。此外，低导通电阻还意味着在相同电流条件下产生的热量更少，有助于简化热管理设计，减少散热器需求，进一步节省空间和成本。该器件的输出端采用双MOSFET背对背连接结构，支持双向电流流动，允许其用于交流信号或任意极性直流信号的切换，增强了应用灵活性。在关断状态下，输出漏电流极小，通常低于1 μA，确保了良好的信号隔离性能。同时，由于没有机械磨损部件，G3VM-21ER的使用寿命远超传统电磁继电器，可实现数亿次以上的开关操作而不会出现性能衰减。
　　G3VM-21ER具备出色的电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5,000 Vrms的隔离电压（1分钟），满足工业级安全标准，适用于需要高绝缘等级的应用场景，如医疗设备、工业控制和电力监控系统。其光耦合结构有效防止了噪声从输出端反馈到控制电路，提升了系统的抗干扰能力和稳定性。该继电器的输入侧仅需较低的驱动电流（典型3 mA即可完全导通），兼容多种逻辑电平信号源，包括微控制器GPIO、FPGA输出、低电压逻辑门等，无需额外的驱动电路即可直接驱动。这不仅降低了系统复杂度，也减少了元件数量和PCB面积占用。此外，G3VM-21ER响应速度快，开通和关断时间均在微秒级别，适合高速信号切换应用，如自动测试设备（ATE）中的通道选择或多路复用器控制。其封装采用无铅设计，符合RoHS环保要求，并支持自动化贴片生产，便于大规模制造。
　　该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于户外设备、工业现场和汽车电子等严苛应用场景。TSON-5封装不仅体积小巧，而且具有良好的热传导性能，有助于将内部热量有效传递至PCB，提升散热效率。G3VM-21ER还具备优异的耐潮湿性和抗污染能力，适合在高湿度或粉尘环境中长期使用。由于其无触点设计，不存在触点氧化、碳化或粘连等问题，避免了传统继电器常见的失效模式。同时，该继电器在开关过程中不产生电磁干扰（EMI）或声学噪声，适用于对电磁兼容性要求严格的场合，如精密测量仪器、音频设备和通信系统。总之，G3VM-21ER凭借其低导通电阻、高隔离性、快速响应、长寿命和小尺寸等综合优势，成为现代电子系统中理想的固态开关解决方案。

G3VM-21ER广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化中，它被用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、I/O扩展单元和传感器信号切换，实现对执行器、电机和指示灯的可靠控制。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-21ER用于高速切换测试通道，确保信号完整性并提高测试效率。在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断工具和成像系统，其高隔离性和低漏电流特性保障了患者安全和设备精度。在通信系统中，可用于信号路由、天线切换和电源管理模块。此外，在消费类电子产品中，如智能家居控制面板、安防系统和电池供电设备，G3VM-21ER的小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择。其双向导通能力也适用于音频信号切换和模拟开关应用。在汽车电子中，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块，满足车规级环境要求。

G3VM-41GR-G,G3VM-41HR,G3VM-21LR