类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1路（单通道）
　　封装形式：TSON-4（表面贴装）
　　最大负载电压（VOFF）：60V
　　最大负载电流（IO）：120mA
　　连续负载电流（IO）：110mA
　　导通电阻（RON）：典型值6Ω，最大值9Ω
　　输入正向电流（IF）：最大值50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　隔离电压（Viso）：5,000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　回路间电容：典型值0.8pF
　　响应时间（Turn-on time）：典型值1ms
　　响应时间（Turn-off time）：典型值0.5ms
　　LED波长：近红外（约940nm）

G3VM-201H1TR的核心优势在于其采用的光控双向MOSFET输出结构，这种设计不仅允许其控制交流和直流信号，而且具备非常低的导通电阻（典型值仅为6Ω），从而显著减少功率损耗并提高能效。相比传统的机械继电器或光电三极管输出的光耦，该器件在导通状态下表现出更接近理想开关的特性，有效避免了电压降过大导致的发热问题。其超低的输入驱动电流要求（仅需5mA即可完全导通）使得它可以轻松与现代低功耗微控制器、FPGA或逻辑IC直接接口，无需额外的晶体管或缓冲器来增强驱动能力，极大地简化了外围电路设计。
　　该器件具有优异的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达5,000Vrms，满足国际安全标准如UL、CSA和IEC等对绝缘等级的要求，适用于需要高安全等级的应用场合，例如医疗设备或工业控制系统。此外，由于其内部没有可移动部件，因此不会产生机械磨损、触点氧化或开关弹跳现象，理论上可实现无限次开关操作，极大延长了设备的维护周期和使用寿命。
　　G3VM-201H1TR还具备出色的抗干扰能力和稳定性，其内部结构优化了电磁兼容性（EMC）表现，能够在存在噪声的环境中可靠工作。极小的回路间电容（典型值0.8pF）意味着在高频信号传输中具有更低的串扰和更高的信号保真度，适合用于精密模拟信号切换或多通道数据采集系统。同时，快速的开关响应时间（导通约1ms，关断约0.5ms）使其可用于中高速数字控制应用，例如自动测试设备（ATE）中的通道选择或PLC模块中的状态反馈。
　　该器件的TSON-4封装尺寸极小，底面带有散热焊盘，有助于将热量有效传导至PCB，提升热稳定性。支持回流焊工艺，适用于大规模自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。综合来看，G3VM-201H1TR是一款集小型化、高效能、高可靠性和易用性于一体的固态继电器解决方案，代表了现代光耦继电器的技术发展方向。

G3VM-201H1TR凭借其小型化、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电子系统中。在通信设备领域，常用于程控交换机、路由器和基站模块中的信号路由与通道切换，利用其低电容和低导通电阻特性保证高频信号完整性。在工业自动化系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）输入/输出模块、传感器接口电路以及远程I/O单元中，实现对外部执行器或检测装置的安全隔离控制。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断仪器和实验室分析设备，G3VM-201H1TR因其高隔离电压和无机械触点特性而成为理想的开关元件，既能保障患者安全又能满足长期稳定运行的需求。在测试与测量仪器方面，例如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器中，该继电器可用于精确切换模拟或数字信号路径，确保测量精度不受开关非线性影响。
　　此外，在消费类电子产品中，如智能家居控制模块、智能电表和电池管理系统（BMS）中，G3VM-201H1TR可用于电池充放电回路的通断控制或状态监测信号的隔离传输。其低驱动电流特性也使其适用于由锂电池供电的便携式设备，有助于降低整体功耗，延长续航时间。在汽车电子中，虽然该型号并非车规级，但在车载信息娱乐系统或辅助控制单元中仍可用于非关键信号的切换应用。总之，任何需要小型化、长寿命、无噪声开关功能的场景都是G3VM-201H1TR的理想应用领域。

G3VM-201H1
　　G3VM-201H2
　　TLP3543A
　　CPC1017N