类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：TSON-4（无引线薄型小外形封装）
　　输入正向电流（IF）：25 mA（最大值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VDS）：20 V（最大值）
　　连续通态电流（ID(on)）：270 mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：典型值6 Ω，最大值9 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值0.3 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入LED波长：约940 nm
　　绝缘材料：满足UL、CSA、VDE认证要求

G3VM-201G2的核心特性之一是其采用的MOS FET输出结构，这种设计使得器件在导通状态下表现出极低的导通电阻，典型值仅为6 Ω，最大不超过9 Ω。这一低导通电阻特性显著降低了在负载电流通过时的功率损耗和温升，提高了系统的能效和稳定性。同时，由于MOSFET具有双向导电能力，G3VM-201G2可以用于交流或直流负载的开关控制，灵活性远高于单向半导体器件。此外，该器件的输出端无需外部偏置电路即可直接驱动负载，简化了外围设计。
　　另一个关键优势是其超小型TSON-4封装。该封装尺寸仅为2.0 mm × 2.5 mm × 0.8 mm左右，极大节省了PCB空间，特别适用于便携式设备和高集成度模块。尽管体积小巧，但其内部结构仍实现了高绝缘性能，提供高达5000 Vrms的输入-输出隔离电压，确保在高压环境下的安全运行。此隔离能力使其可用于跨不同电位区域的信号传输，有效防止噪声干扰和接地环路问题。
　　G3VM-201G2的开关速度非常快，开通时间典型值为0.3毫秒，关断时间为0.2毫秒，远快于传统电磁继电器的几十毫秒级别。这使得它非常适合需要快速响应的应用场景，例如自动测试设备中的多路复用切换、数据采集系统的通道选择等。同时，由于没有机械部件，该器件不受机械疲劳影响，寿命可达数十亿次操作，远远超过电磁继电器的几万到百万次寿命。
　　该器件还具备良好的抗振动和抗冲击性能，能够在恶劣环境下稳定工作。其输入侧使用标准红外LED，可与常见的逻辑电路（如微控制器GPIO）直接接口，驱动简便。只需一个限流电阻即可连接至数字输出引脚，实现电平转换和隔离驱动功能。此外，G3VM-201G2在关断状态下的漏电流极小，通常低于1 μA，在低功耗应用中表现优异。综合来看，G3VM-201G2是一款集小型化、高效能、高可靠性于一体的固态继电器解决方案。

G3VM-201G2广泛应用于多种需要电气隔离和小型化设计的电子系统中。在测试与测量设备中，常用于自动测试仪（ATE）中的信号路径切换，因其低导通电阻和快速响应特性，能够保证测试信号的完整性与精度。在工业控制系统中，它可用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块，作为传感器或执行器的隔离驱动元件，提升系统的抗干扰能力和安全性。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和无触点特性，被用于病人连接设备的电源或信号隔离，符合严格的电气安全标准。
　　在通信设备中，G3VM-201G2可用于模拟开关或多路复用器电路，实现高频信号的路由选择，尤其是在4G/5G基站、光模块和网络交换设备中发挥重要作用。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电池管理系统的充放电控制、音频路径切换或摄像头模组的电源开关，得益于其超小尺寸和低功耗特性。
　　在汽车电子领域，虽然G3VM-201G2并非车规级型号，但在车载信息娱乐系统或辅助设备中仍可用于非关键信号的隔离与切换。此外，在电池供电的物联网终端设备中，G3VM-201G2的低静态功耗和高可靠性使其成为理想的电源管理开关，用于间歇性开启传感器或无线模块以延长电池寿命。总之，凡是需要微型化、长寿命、无噪声开关的场合，G3VM-201G2都是一个极具竞争力的选择。

G3VM-201GR2
　　G3VM-202G2
　　TLP222G
　　CPC1017N