类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值 0.7 Ω，最大值 1.0 Ω
　　输出漏电流（ILEAK）：最大 1 μA
　　负载电压（VLOAD）：最大 60 V（DC）
　　连续负载电流（IO）：最大 200 mA
　　开关时间（ON/OFF）：典型值 1 ms / 0.5 ms
　　隔离电压：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　封装类型：TSON4（超薄小外形无引线封装）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　尺寸（L×W×H）：约 2.0 mm × 1.6 mm × 0.9 mm
　　LED波长：近红外（典型 940 nm）
　　输入-输出电容：典型 1.5 pF

G3VM-201G(TR)具备多项卓越的技术特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其超低的导通电阻（RON）是该器件的核心优势之一，典型值仅为0.7Ω，最大不超过1.0Ω，这确保了在信号传输过程中几乎无电压降，能够高效地传输模拟或数字信号，尤其适合用于精密测量系统和低电平信号切换场合。低RON还意味着更少的功率损耗和更低的温升，有助于提升整体系统的能效和稳定性。
　　其次，该器件具有极低的输出漏电流，最大值仅为1μA，在关断状态下能够有效阻断电流流动，保证信号通路的隔离完整性，这对于多路复用器、数据采集系统等对信号串扰敏感的应用至关重要。同时，其高达60V的负载电压能力和200mA的连续负载电流能力，使其能够驱动多种类型的负载，包括传感器、小型电磁阀、LED指示灯等，具备良好的通用性。
　　第三，G3VM-201G(TR)采用光控MOSFET技术，实现了真正的双向开关功能，允许电流在两个方向自由流通，非常适合交流信号或双向直流信号的控制。这种双向导通能力在传统电磁继电器中难以实现，进一步扩展了其应用范围。
　　此外，其TSON4封装不仅体积微小，有助于节省宝贵的PCB空间，而且具有优异的热传导性能和高频响应特性。由于无引线设计，寄生电感和电容极低，有利于高速开关操作和减少信号失真。器件的开关时间非常快，开通时间典型值为1ms，关断时间仅为0.5ms，能够满足大多数中高速信号切换需求。
　　最后，G3VM-201G(TR)提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，确保了操作人员和设备的安全，适用于需要强电与弱电隔离的工业控制系统。其LED驱动接口兼容标准逻辑电平，可通过微控制器直接驱动，简化了电路设计。综合这些特性，G3VM-201G(TR)是一款高性能、高可靠性且易于集成的固态继电器解决方案。

G3VM-201G(TR)因其优异的电气性能和紧凑的封装，广泛应用于多个高科技和工业领域。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器中，该器件被用于精确切换低电平模拟信号，得益于其低导通电阻和低漏电流，能够最大限度地减少信号失真和串扰，确保测量精度。
　　在工业自动化控制系统中，G3VM-201G(TR)常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器信号切换、小型执行器控制等场景。其固态结构带来的高寿命和抗振动特性，使其在工厂恶劣环境中表现出色，远优于传统机械继电器。
　　在通信设备中，该器件可用于信号路由、音频/视频切换、线路选择等功能模块，特别是在需要高密度集成的小型化通信模块中，其TSON4封装优势尤为明显。
　　此外，G3VM-201G(TR)也适用于医疗电子设备，如便携式监护仪、诊断仪器等，这些设备对安全隔离、低噪声和高可靠性有严格要求。其5000Vrms的隔离电压和无机械磨损特性，符合医疗设备的安全标准。
　　在消费类电子产品中，如高端音频设备、智能家居控制模块、电池供电设备中，该器件可用于电源管理、模式切换、外设控制等功能。其低功耗和快速响应特性有助于延长电池寿命并提升用户体验。总之，凡是需要安静、可靠、长寿命信号切换的场合，G3VM-201G(TR)都是理想的选择。

G3VM-21LR(TP1,F)