类型：MOSFET继电器（光继电器）
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：50mA（最大值）
　　输出负载电压（VDS）：60V（最大值）
　　输出连续通态电流（ID(on)）：420mA（最大值）
　　导通电阻（RON）：0.17Ω（最大值，典型值约0.12Ω）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn ON/OFF）：0.3ms / 0.2ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：S-MINI（2.0 × 1.6 × 1.8 mm）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

G3VM-101HR(TR)最显著的特性之一是其超低导通电阻，最大仅为0.17Ω，典型值甚至低至0.12Ω。这一特性使得该器件在传导电流时产生的压降和功耗极小，非常适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用。低RON不仅提高了系统的整体效率，还减少了热积累，有助于提升系统的长期稳定性和可靠性。此外，低导通电阻意味着在相同电流条件下，输出端的信号失真更小，这对于模拟信号切换尤为重要，如音频信号、传感器信号或多路复用器中的精密电压传输。该器件在处理微弱信号时表现出色，能够保持信号完整性，避免因接触电阻变化引起的测量误差。
　　G3VM-101HR(TR)采用先进的光耦合技术，实现了输入控制侧与输出负载侧之间高达5000Vrms的电气隔离。这种高隔离能力有效防止了高压瞬变对控制电路的干扰，保护了敏感的微控制器或逻辑电路。同时，由于没有机械触点，该器件不会产生电弧或电磁干扰（EMI），也不会出现触点氧化或磨损问题，从而确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。其固态结构还赋予其出色的抗冲击和抗振动性能，非常适合工业现场或移动设备使用。
　　该器件具有快速的开关响应时间，开启时间仅0.3ms，关断时间仅0.2ms，远快于传统电磁继电器。这使得它能够在需要高速切换的应用中发挥优势，例如自动测试设备（ATE）中的信号路由切换、数据采集系统中的多路复用控制等。此外，其输入驱动电流需求较低，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于直接由微控制器驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。S-MINI封装的小尺寸使其成为便携式设备、可穿戴电子产品和高密度PCB设计的理想选择。

G3VM-101HR(TR)广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和低导通电阻的信号切换场合。在工业自动化领域，它常用于PLC模块、I/O接口板和传感器信号调理电路中，作为数字或模拟信号的切换元件。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）和示波器前端，该器件用于多路复用器和信号路由开关，因其低RON和高隔离性而确保测量精度。在通信设备中，可用于音频/视频信号切换、线路选择和接口保护电路。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、诊断仪器等，其无噪声、长寿命和高安全隔离特性使其成为理想选择。消费类电子产品，特别是高密度组装的智能手机、平板电脑和可穿戴设备，也利用其微型化优势进行功能切换或电源管理。由于其宽工作温度范围（-40°C 至 +110°C），该器件同样适用于汽车电子中的辅助控制系统，如车载信息娱乐系统的音频切换模块。

G3VM-101HR