类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　通道数：1路
　　封装形式：TSON-4（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值1.2 Ω，最大1.6 Ω
　　输出连续通态电流（IO）：360 mA（最大）
　　输出峰值电流（IOPK）：720 mA（脉冲宽度≤100ms，占空比≤1/10）
　　输出电压（VOUT）：60 V（最大）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　动作时间（ton）：典型值0.8 ms
　　释放时间（toff）：典型值0.6 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　回流焊温度：符合JEDEC J-STD-020标准（最高260°C）

G3VM-101FR的核心技术优势在于其采用的MOS FET输出结构与高效的光电转换机制。当输入端LED接收到驱动电流时，发出红外光触发输出侧的光敏栅极，从而激活集成在硅芯片上的两个N沟道功率MOSFET。这两个MOSFET以背对背方式连接，即源极相连，漏极分别作为输出端子，这种设计允许器件在交流或直流电路中实现双向导通能力，极大地增强了其应用灵活性。由于MOSFET本身具有极低的导通电阻（RON），G3VM-101FR在导通状态下产生的功耗非常小，有助于提高系统的整体能效并减少散热需求。典型导通电阻仅为1.2Ω，意味着在360mA负载电流下压降仅约0.43V，显著低于许多同类产品。
　　另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能。该器件提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，满足工业级安全标准，有效防止高压窜入控制侧造成损坏或危险，适用于医疗设备、测试仪器和工业PLC等高安全性要求场景。同时，由于没有可动部件和触点磨损问题，G3VM-101FR的机械寿命几乎无限，可实现数十亿次以上的开关操作，远超传统电磁继电器的百万次级别。其快速响应时间（开通0.8ms，关断0.6ms）也使其适用于需要高速切换的数字控制系统。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力和稳定性。内部结构经过优化，减少了寄生电容和漏电流的影响，在高温环境下仍能保持可靠的开关行为。此外，TSON-4封装不仅体积小巧（约3.2×2.5×1.0mm），而且热阻较低，有利于热量传导，提升了长期工作的可靠性。器件符合RoHS环保指令，支持无铅回流焊接工艺，适用于现代绿色制造流程。

G3VM-101FR广泛应用于各类需要固态开关功能的小型化电子设备中。在通信领域，它常用于程控交换机、数据采集模块和远程I/O单元中作为信号通断控制元件，因其无噪声、无抖动特性，可确保信号传输的完整性与稳定性。在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输出模块、传感器接口电路以及小型执行器的驱动控制，特别是在空间受限的嵌入式控制器中表现出色。消费类电子产品如智能电表、智能家居控制板、自动售货机控制板等也大量采用此类光耦继电器来实现负载的隔离驱动。
　　在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和长寿命特点，G3VM-101FR被用于病人监护仪、便携式诊断设备中的电源或信号切换部分，保障操作安全。测试与测量仪器如示波器、多路复用器、自动测试设备（ATE）中，该器件用于构建高精度模拟开关阵列，利用其低导通电阻和稳定特性保证测量准确性。此外，在电池管理系统（BMS）、光伏逆变器辅助电路和LED照明调光控制中，也可使用该器件进行小功率负载的通断管理。得益于其表面贴装封装，非常适合自动化SMT生产线，提升制造效率和产品一致性。

G3VM-101GR
　　G3VM-102FR
　　TLP222G
　　ACPL-M71T