类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1 Form A（常开）
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（最大）：12 V
　　连续通态电流（IO）：170 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 0.7 Ω，最大值 1.2 Ω
　　隔离电压（VISO）：5000 Vrms（1分钟）
　　响应时间（Turn-ON）：典型值 0.3 ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值 0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：S-VSON4
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G3VM-101DRTR的核心特性之一是其基于MOS FET输出结构的无机械触点设计，这使得它在频繁开关操作下仍能保持极高的可靠性与稳定性。由于没有传统继电器中的电弧、磨损或接触反弹问题，该器件的使用寿命远超电磁继电器，特别适合用于需要长期运行且难以维护的应用场景。其输入端采用标准红外LED驱动，仅需5mA的低驱动电流即可实现完全导通，兼容TTL或CMOS逻辑电平，能够直接由微控制器或其他数字电路驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了整体功耗。
　　另一个显著特点是其极低的导通电阻（RON），典型值仅为0.7Ω，最大不超过1.2Ω。这一性能确保了在传输小信号或驱动轻负载时几乎不产生电压降和功率损耗，提高了系统的能效和信号完整性。此外，低RON也有助于减少发热，提升器件在密集布局环境下的热稳定性。同时，该器件具有优异的电气隔离能力，支持高达5000Vrms的隔离电压，在输入与输出之间提供强大的绝缘保护，有效防止噪声干扰和高压窜入，保障操作人员和敏感电路的安全。
　　G3VM-101DRTR还具备快速的开关响应速度，开启时间典型值为0.3ms，关断时间为0.2ms，使其适用于需要高速信号切换的场合，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统或多路复用器应用。其S-VSON4封装不仅体积小巧（约1.6×2.5×1.1mm），而且引脚间距适中，便于自动化贴片生产，并具备良好的散热性能。器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品制造。

G3VM-101DRTR因其小型化、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC模块、传感器接口、I/O扩展板中的信号隔离与切换，实现对低压控制信号的安全传递。在测试与测量设备中，该器件可用于构建自动测试系统（ATE）中的多路复用开关矩阵，精确地选择不同待测信号路径，提高测试效率和精度。由于其出色的信号保真度和低导通损耗，也适合用于医疗电子设备中的信号路由，例如病人监护仪或便携式诊断设备，确保关键生理信号不受干扰。
　　在通信系统中，G3VM-101DRTR可用于电话交换、音频信号切换或线路选择电路，替代传统的机械式拨号开关，提升系统响应速度和稳定性。此外，在消费类电子产品中，如智能仪表、安防监控设备或智能家居控制系统，该器件可用于电源管理、模式切换或外设控制等功能模块，满足产品对小型化和长寿命的需求。其表面贴装封装形式也使其成为高密度印刷电路板设计的理想选择，尤其适用于空间受限的便携式设备和模块化组件。

G3VM-101DY G3VM-101E G3VM-101PL G3VM-101P G3VM-101GR