时间：2025/12/27 2:23:07
阅读：11
G3VM-101DR1是一款由欧姆龙（OMRON）生产的超小型、高隔离电压、低输入功率驱动的MOS FET输出型固态继电器（SSR）。该器件属于G3VM系列光继电器，采用先进的光电耦合技术，通过发光二极管（LED）激发光敏MOSFET结构，实现输入与输出之间的电气隔离。由于其无触点设计，G3VM-101DR1具有长寿命、高可靠性、抗冲击和振动能力强、开关速度快等优点，广泛应用于自动化控制、测试测量设备、工业PLC模块、医疗仪器以及通信系统等领域。
G3VM-101DR1采用S-VSON4封装形式，体积紧凑，适合高密度PCB布局。其输入端兼容低电压逻辑信号（如1.8V或2.5V CMOS电平），可直接由微控制器或数字IC驱动，无需额外的驱动电路。输出端为单刀单掷（SPST）常开（NO）结构，能够切换小电流信号或作为模拟开关使用。器件在关断状态下具备高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，确保系统在高压环境下的安全运行。同时，其导通电阻较低，有助于减少信号衰减和功耗，提升整体系统效率。
类型：MOS FET输出型光继电器
通道数：1
触点形式：SPST-NO（常开）
输入正向电压（VF）：1.25 V（典型值）
输入反向电压（VR）：5 V
输入电流（IF）：5 mA（最大连续工作电流）
输出导通电阻（RON）：6 Ω（最大值）
输出漏电流（IDOFF）：1 μA（最大值）
输出耐压（VDS）：60 V（最大值）
输入-输出隔离电压（VIORM）：5000 Vrms（1分钟耐压）
工作温度范围：-20°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：S-VSON4
安装方式：表面贴装（SMD）
响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：0.3 ms / 0.2 ms（典型值）
绝缘电阻：1000 MΩ（最小值）
容许电容负载：1000 pF（最大值）
G3VM-101DR1的核心优势在于其卓越的电气隔离性能与超小封装尺寸的结合。该器件的输入-输出隔离电压达到5000 Vrms，满足IEC/EN 60747-5-5标准中的增强绝缘要求，适用于对安全性要求较高的工业和医疗设备。其内部采用双模光电结构，即LED激发一对互补型光敏栅极驱动电路，从而控制功率MOSFET的导通与关断，实现了零电流交叉导通和低电荷注入，提升了模拟信号切换的精度和稳定性。
该光继电器的输出端采用无机械触点的MOSFET结构，避免了传统电磁继电器因电弧、磨损和接触抖动带来的失效风险，显著延长了使用寿命。其导通电阻仅为6 Ω（最大值），在低电压、低电流信号切换应用中几乎不会引入明显的压降或功率损耗，特别适合电池供电设备或精密传感系统的信号路由。
此外，G3VM-101DR1支持低输入驱动电流，在典型条件下仅需5 mA即可完全导通，可直接连接微处理器I/O口或低功耗逻辑门电路，简化系统设计并降低外围元件成本。器件的开关速度极快，开通时间仅0.3 ms，关断时间为0.2 ms，远优于传统继电器，适用于需要高频切换的应用场景。
S-VSON4封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于在高密度组装环境中散热。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持无铅焊接工艺。其宽工作温度范围（-20°C至+85°C）使其能在严苛的工业环境下稳定运行。G3VM-101DR1还具有低暗电流（典型值低于10 nA）和高输出阻断能力，确保在关断状态下信号泄漏极小，提高系统的信噪比和测量精度。
G3VM-101DR1广泛应用于需要高隔离性、小尺寸和长寿命的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的I/O模块信号切换，用于隔离PLC与现场设备之间的数字或模拟信号，防止干扰和过压损坏主控单元。在自动测试设备（ATE）中，它可用于构建多路复用器或矩阵开关系统，实现对多个被测器件的快速、精准测试。
在医疗电子设备中，如病人监护仪或诊断仪器，G3VM-101DR1的高隔离电压和低漏电流特性保障了患者安全，符合医疗电气安全标准。其无磁特性也避免了对敏感生物信号的干扰。
通信系统中，该器件可用于音频或数据信号路径的选择与切换，尤其适合在电话交换、音频路由和远程监控系统中作为静音开关或通道选择器。由于其低导通电阻和线性度较好，也可用于低频模拟信号的传输控制。
在便携式仪器和电池供电设备中，得益于其低功耗驱动特性和紧凑封装，G3VM-101DR1成为替代传统电磁继电器的理想选择。例如，在数据采集系统中，它可以用于切换传感器输入通道，实现多路信号的轮流采样而不会引入显著误差。此外，在智能楼宇控制系统、安防设备和智能家居网关中，该器件也常用于远程开关控制和状态监测回路。
G3VM-101DY,G3VM-102DY,G3VM-103DY
