电容值：100nF (0.1μF)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R (±15% @ -55°C to +125°C)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（英制），3225（公制）
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：约1.6mm
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 ≥100s（时间常数）
　　使用寿命：在额定条件下≥10年
　　可靠性等级：工业级，部分符合车规AEC-Q200

G3AT-B104M采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由数十至上百层交替堆叠的镍内电极与钛酸钡（BaTiO3）基介电材料构成，形成高密度电容结构，在有限的空间内实现较大的电容量。这种结构不仅提高了单位体积的储能能力，还显著增强了元件的机械强度，使其具备出色的抗弯曲和抗振动性能，特别适合应用于大尺寸PCB或存在热胀冷缩应力的环境中。
　　该型号使用的X7R类电介质材料具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%，远优于Z5U或Y5V等通用材料，确保了电路在极端环境下的稳定运行。同时，尽管其容差标称为±20%，但在实际应用中，特别是在低偏置电压条件下，其初始偏差通常控制在±10%以内，表现出较高的出厂一致性。
　　在直流偏压特性方面，G3AT-B104M相较于普通MLCC有所优化。当施加接近额定电压50V的直流偏压时，其电容值下降幅度约为30%-40%，这一表现优于许多同类产品，有助于维持滤波和去耦效果的稳定性。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现优异，可有效抑制开关电源噪声和高频干扰。
　　该器件采用无铅兼容端电极结构，外电极为三层电镀（Ni/Sn），具有良好的可焊性和长期耐腐蚀性，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。松下在其生产过程中实施严格的洁净室管理和缺陷检测机制，确保每一批次产品的高可靠性和低失效率。G3AT-B104M还通过了多项国际认证，包括UL、CQC和TUV等安全标准，适用于出口型高端电子产品。

G3AT-B104M因其高可靠性、良好温度特性和适中的电容值与耐压水平，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器、LDO稳压器的输入/输出端进行去耦和滤波，有效平滑电压波动并抑制高频噪声传播。
　　在数字系统中，如微处理器、FPGA、ASIC等高性能芯片的供电网络（PDN）中，该电容作为局部储能元件，能够快速响应瞬态电流需求，降低电源阻抗，保障逻辑电路的稳定运行。由于其1210封装具备较好的电流承载能力和热扩散性能，尤其适合大功率数字系统的去耦布局。
　　在工业控制设备中，例如PLC模块、人机界面（HMI）、伺服驱动器等，G3AT-B104M可用于模拟前端信号调理电路的耦合与旁路，提升系统抗干扰能力。同时，其宽温特性和高可靠性也满足工业现场恶劣环境下的长期运行要求。
　　在通信基础设施领域，如基站射频模块、光模块和路由器主板中，该电容可用于中频信号路径的交流耦合、阻抗匹配网络旁路以及PLL锁相环的滤波电路中，帮助维持信号完整性。
　　此外，随着汽车电子的发展，该型号也被应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，执行电源滤波和噪声抑制功能。得益于其通过AEC-Q200认证的部分批次产品，G3AT-B104M可在汽车级温度范围内可靠工作，成为兼顾成本与性能的理想选择之一。