时间：2025/6/10 16:23:10
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G36T03D是一种高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
作为一种N沟道MOSFET，G36T03D在中低电压应用场景中表现出色，其快速开关特性和坚固的设计使其成为许多电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3A
导通电阻：100mΩ
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃至175℃
G36T03D的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适用于高频开关电路。
3. 高击穿电压和严格的漏源电压规格，保障了器件的稳定性。
4. 小型化封装（TO-252）有助于节省PCB空间，同时保持良好的散热性能。
5. 具备优异的热稳定性和ESD保护功能，适合严苛的工作环境。
G36T03D凭借这些特性，在消费类电子产品、工业控制以及通信设备领域都有广泛应用。
G36T03D适用于以下典型应用：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级控制。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 各种电机驱动电路中的功率输出级。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 照明系统中的LED驱动电路。
由于其紧凑的封装形式和出色的性能，G36T03D成为工程师在设计中小功率、高效率电子系统时的重要选择。
IRLZ44N
FDP5800
AO3400
