时间：2025/8/24 22:43:56
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G30NGA4D是一款由东芝（Toshiba）制造的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，专为高功率应用设计，如工业电机驱动、变频器、电源系统以及电力转换设备。这款IGBT具备优良的导通压降和开关损耗特性，使其在高频率和高电流操作条件下表现出色。
类型：IGBT
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
额定集电极电流（Ic）：30A
短路耐受电流：60A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约1800pF
输出电容（Coes）：约300pF
反向恢复时间（trr）：约1.5μs
G30NGA4D IGBT采用先进的沟槽栅和电场截止（Field Stop）技术，提供了出色的导通性能和开关效率。其主要特性包括：低导通压降，减少导通损耗；优化的开关特性，适用于高频操作；高短路耐受能力，增强了器件在故障条件下的可靠性；内置反并联二极管，简化了电路设计；良好的热性能和机械稳定性，适合在恶劣环境下工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计需求。
G30NGA4D广泛应用于多种高功率电子系统，包括：工业变频器和伺服驱动器；不间断电源（UPS）；电焊机和等离子切割设备；太阳能逆变器和风力发电系统；电动车辆和充电设备的功率转换模块。该器件的高性能特性使其成为需要高效能和高可靠性的电力电子应用的理想选择。
SKM30GB12T4AgBL, IRG4PC50UD, FF30R12KE4, G40N150D
