G30N60A4 时间：2025/12/29 14:17:59 阅读：10

G30N60A4 是一款由东芝（Toshiba）制造的高电压、大电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率开关应用。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.23Ω
　　栅极电荷（Qg）：约90nC
　　输入电容（Ciss）：约1400pF
　　封装类型：TO-220

特性

G30N60A4 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V Vds）确保其在高电压环境中稳定运行，适用于各种开关电源和逆变器设计。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流可达30A，能够承受较大的负载电流，满足高功率需求。
　　该器件的导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为0.23Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其较高的功耗能力（200W）和良好的热稳定性，使得在高负载工作条件下仍能保持可靠运行。
　　G30N60A4 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高散热效率。同时，其栅极电荷（Qg）约为90nC，适合用于高频开关应用，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　该MOSFET的输入电容（Ciss）约为1400pF，影响栅极驱动电路的设计，需配合适当的驱动电路以确保快速而稳定的开关操作。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境。

应用

G30N60A4 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动电路、不间断电源（UPS）、电池充电器以及各种工业控制设备中。由于其高电压、大电流特性，特别适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。例如，在电机控制中，G30N60A4 可用于H桥电路，实现电机的双向旋转和速度调节。在太阳能逆变器或电动车充电系统中，该器件可用于DC-AC转换电路，实现高效的能量转换。此外，它也可用于高频感应加热、LED驱动电源等场合。