时间：2025/6/3 9:07:02
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G30C120CTW 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率功率转换应用设计。该器件采用增强型结构，支持常关模式操作，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减小整体尺寸。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、无线充电及各类高性能电源管理领域。
G30C120CTW 的封装形式为符合行业标准的 TO-247 封装，便于集成到现有电路设计中。通过结合先进的材料特性和优化的芯片设计，该产品实现了卓越的性能与可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：120A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：120nC
输入电容：1500pF
反向传输电容：35pF
开关频率范围：最高至 5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
1. 基于第三代半导体材料 GaN 技术，提供更低的导通损耗和开关损耗。
2. 高击穿电压能力（650V），适合多种高压应用环境。
3. 极低的导通电阻（8mΩ），有效降低功率损耗。
4. 快速开关特性，支持高达 5MHz 的开关频率，减少磁性元件体积。
5. 增强型器件结构，确保在正常工作条件下处于常关状态，简化驱动设计。
6. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣的工作条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 图腾柱功率因数校正（PFC）电路
3. 服务器和通信设备中的电源模块
4. 新能源汽车车载充电器（OBC）
5. 无线充电发射端和接收端
6. 消费类快充适配器
7. 光伏逆变器及其他工业级电源解决方案
