类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

G2K3N10H 功率 MOSFET 的主要特性之一是其高电压能力，最大漏源电压（VDS）可达1000V，这使其非常适合用于高电压应用，例如工业电源和高电压转换器。此外，该器件的最大漏极电流为3A，能够在相对较高的电流负载下稳定运行。尽管其导通电阻为2.5Ω，略高于一些低电压MOSFET，但在高电压器件中仍处于合理范围，有助于降低导通损耗。
　　G2K3N10H 还具备较低的栅极电荷（Qg）为50nC，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关效率。因此，该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高整体系统效率。
　　该MOSFET的 TO-247 封装设计有助于散热，确保在高功率条件下稳定运行。它的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种苛刻的工业环境，确保在极端温度条件下仍能正常工作。这种宽温度范围也表明其具备良好的热稳定性。
　　此外，G2K3N10H 具有良好的耐用性和可靠性，能够在长时间高负载条件下运行，减少因器件老化或失效而引发的故障率。这种可靠性使其成为工业控制、电源管理和电机驱动等应用的理想选择。

G2K3N10H MOSFET 广泛应用于多个领域，包括工业电源、电机控制、不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能转换系统等。在工业电源中，该器件可用于高电压直流-直流转换器，确保高效的电压转换和稳定的输出。此外，在电机控制系统中，G2K3N10H 可用于控制高电压电机的运行，提供高效的开关控制并减少能量损耗。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET可用于逆变器部分，将直流电源转换为交流电源，确保在电网故障时提供稳定的电力供应。同样，在太阳能逆变器中，G2K3N10H 可用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。由于其高电压能力和良好的开关性能，该器件能够有效提高太阳能系统的整体效率。
　　此外，G2K3N10H 还可用于其他高电压应用，例如电子负载测试设备和高电压放电电路。在这些应用中，该器件的高电压和高电流能力确保了系统的稳定运行，并减少了因器件过载而引发的故障风险。

IXGN20N100T, IRF840, FDPF10N50