G2995F1U 时间：2025/8/5 6:17:28 阅读：30

G2995F1U 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高频率切换的电源管理电路中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：5.6A
　　漏极-源极电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±8V
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=4.5V
　　22mΩ @ Vgs=2.5V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A
　　脉冲漏极电流（Idm）：22A
　　功耗（Pd）：2.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP（6 引脚）

特性

G2995F1U 采用先进的沟槽式 MOSFET 设计，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 的栅极驱动电压下仅为 17mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件在 2.5V 的较低栅极驱动电压下也能保持良好的性能（Rds(on) 为 22mΩ），适用于低电压应用和电池供电设备。
　　G2995F1U 具有快速开关特性，能够实现高频率切换操作，适用于高效的 DC-DC 转换器和同步整流电路。　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能，适用于工业级和消费类应用。
　　G2995F1U 的栅极驱动电压范围为 ±8V，具有良好的栅极电压耐受能力，适合多种驱动电路设计。

应用

G2995F1U 主要应用于高效电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及便携式电子设备中的功率控制电路。
　　在 DC-DC 转换器中，G2995F1U 可作为主开关元件，提供高效的能量转换，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块。
　　在同步整流电路中，该器件可替代传统的肖特基二极管，显著提高整流效率并降低功耗。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，G2995F1U 也适用于马达驱动、LED 驱动、电源管理 IC（PMIC）以及电池管理系统中的功率控制。
　　此外，该 MOSFET 还适用于各种低电压、高效率的电源适配器、USB 充电设备以及嵌入式系统的电源管理模块。