型号：G28F008S3120
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：512K x 16
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　供电电压：Vcc = 3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　接口类型：并行接口（CE#, OE#, WE# 控制信号）
　　封装形式：48-pin TSOP Type I 或 48-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦除电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　编程电压：内部升压电路支持，标准Vcc供电即可操作
　　耐久性：典型擦写次数为10万次（erase/write cycles）
　　数据保持时间：大于10年（在额定工作条件下）
　　封装尺寸：TSOP: 12mm x 20mm x 1.2mm（近似值）

G28F008S3120具备多项关键特性，使其成为当时嵌入式系统和通信设备中的理想选择。首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，这是一种结合了NOR Flash快速随机访问能力和MLC高密度优势的技术。与传统单级单元（SLC）NOR Flash相比，StrataFlash在相同晶圆面积上实现了更高的存储密度，显著降低了每比特成本，同时仍保留了较快的读取速度和较高的可靠性。这种特性特别适合需要大容量固件存储但对成本敏感的应用场景。
　　其次，G28F008S3120支持全电压操作模式，仅需单一3.3V电源即可完成所有读写擦除操作，无需额外的编程高压（如12V），简化了电源设计并提高了系统的集成度。片内集成电荷泵电路可自动生成所需的高电压用于编程和擦除操作，进一步提升了使用的便捷性与安全性。
　　第三，该器件提供了灵活的块结构管理机制。整个存储阵列被划分为多个独立的扇区（sector），允许对特定区域进行单独擦除，从而实现更精细的固件更新策略和数据管理。这对于现场升级（field update）功能至关重要，可以避免整片擦除带来的风险与不便。
　　第四，G28F008S3120具备较强的抗干扰能力和稳定性，在电磁噪声较强的工业环境中仍能可靠工作。其输入/输出引脚具有良好的驱动能力和噪声抑制设计，确保在长走线或多负载情况下信号完整性不受影响。
　　最后，该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，可在系统空闲时大幅降低静态电流消耗，延长电池供电设备的工作时间。尽管该产品目前已趋于淘汰，但在其生命周期内表现出优异的综合性能和广泛的适用性。

G28F008S3120主要应用于需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统和通信设备中。一个典型的应用领域是网络基础设施设备，例如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中该芯片用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。由于其支持快速随机读取，CPU可以直接从该Flash芯片执行代码（XIP, eXecute In Place），无需先将程序加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。
　　在电信设备方面，G28F008S3120常被用作基站控制器、接入点模块和传输设备中的固件存储介质。这些设备通常部署在高温、高湿或强电磁干扰的环境中，因此要求存储器具备宽温工作能力和长期数据保持特性，而这正是该芯片的优势所在。
　　此外，工业控制系统也是其重要应用方向之一，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块。在这些系统中，G28F008S3120不仅用于存储控制程序，还可记录设备运行日志或校准参数，支持现场固件升级以应对功能变更或漏洞修复。
　　在消费类高端设备中，如数字视频录像机（DVR）、机顶盒和智能仪表中，该芯片也有所应用，用于保存设备初始化设置和核心应用程序。
　　值得注意的是，由于该芯片采用的是并行接口，数据总线宽度为16位，因此适用于具备相应接口能力的微处理器或DSP平台。随着串行SPI Flash在密度和速度上的不断提升，许多新设计已转向更小型化、更低功耗的串行方案，但在一些遗留系统维护和工业设备替换市场中，G28F008S3120仍有一定程度的需求。

S29GL064N90TF104
　　MT28EW064ABA-12:E