时间：2025/6/23 22:56:17
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G25P06是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电压和大电流的开关场景。该器件采用TO-220封装，适合于工业、汽车以及消费电子领域。G25P06以低导通电阻和高效率著称，能够在高频应用中提供卓越的性能。
型号：G25P06
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：0.4Ω（典型值，10V栅极驱动时）
Id（连续漏极电流）：8A
Ptot（总功耗）：93W
封装形式：TO-220
f（工作频率范围）：最高支持1MHz
Qg（栅极电荷）：40nC
Tj（结温范围）：-55°C至+175°C
G25P06具有较低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
该器件具备较高的雪崩能量能力，增强了在异常条件下的耐用性。
G25P06的快速开关特性使其非常适合高频电源转换应用，同时其坚固的设计也保证了长期使用的可靠性。
此外，它还具有较低的输入和输出电容，进一步减少了开关损耗。
G25P06采用了优化的工艺技术，在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
G25P06广泛应用于开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、电池保护电路以及其他需要高压开关的应用场合。
由于其高耐压特性和良好的热性能，这款MOSFET特别适合工业和汽车环境中的功率管理任务。
另外，它也可以用于太阳能逆变器、电磁阀驱动和负载切换等场景。
IRFZ44N
STP80NF06
FQP50N06L
