时间：2025/8/25 6:33:29
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G25N120RUF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的 STripFET? F7 技术，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率应用。G25N120RUF 采用 TO-247 封装形式，适合高功率密度设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：25A
最大漏极-源极电压：1200V
栅极-源极电压范围：±30V
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.19Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
G25N120RUF MOSFET 的主要特性之一是其高电压能力，能够承受高达 1200V 的漏极-源极电压，使其适用于高电压转换和功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件的导通电阻较低（Rds(on) 最大为 0.19Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
G25N120RUF 采用 STMicroelectronics 的最新 STripFET? F7 技术，提供卓越的开关性能，减少开关过程中的能量损耗。其 TO-247 封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
该 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。栅极驱动电压范围为 ±30V，提供较高的驱动灵活性，适用于各种功率开关应用。
此外，G25N120RUF 在高温环境下仍能保持稳定性能，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于工业、汽车和消费类电子设备中的严苛环境。
G25N120RUF MOSFET 主要应用于高电压功率转换设备，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器、AC-DC 电源供应器以及电机驱动系统。由于其高电压和高电流能力，该器件广泛用于工业自动化设备、可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动车辆的电源管理系统。
在电源管理系统中，G25N120RUF 被用于主开关元件，负责高效的能量转换和调节。在电机控制应用中，它可以作为高速开关，实现精确的转速和扭矩控制。此外，该器件也适用于高电压照明系统和不间断电源（UPS）等应用场景。
STW25N120, S25N120F3, STB25N120
