时间：2025/12/29 14:13:46
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G23N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器以及各种高电压高电流的功率转换电路中。该器件采用了先进的平面栅极技术和高密度沟槽结构，能够在600V的漏源电压下提供高达23A的连续漏极电流，具有较低的导通电阻和开关损耗，从而提高了系统的效率和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：23A（@TC=100℃）
峰值漏极电流(Idm)：92A（脉冲宽度受限）
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220、TO-3P或类似的大功率封装
G23N60 MOSFET具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该器件具有低导通电阻（Rds(on)），典型值为0.21Ω，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。这对于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用尤为重要，因为它可以减少发热并提高能量转换效率。
其次，G23N60支持高达600V的漏源电压，能够胜任高电压环境下的开关任务，例如在工业电源、电机驱动和光伏逆变器等应用中。其高耐压能力也提升了系统的稳定性和安全性。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在较高的环境温度下正常工作。其最大功耗为200W，配合适当的散热片使用，可以有效管理热应力，防止因温度过高而导致的器件损坏。
G23N60还具备快速开关特性，具有较低的输入电容和输出电容，从而减少了开关过程中的能量损耗，降低了电磁干扰（EMI）。这对于高频开关应用非常有利，可以提高系统的工作频率并缩小外围元件的体积。
最后，该器件采用TO-220或TO-3P等大功率封装形式，具有良好的机械强度和热传导性能，适用于各种恶劣的工作环境。
G23N60 MOSFET因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个电力电子领域。
在开关电源（SMPS）中，G23N60常用于主开关或同步整流电路，以提高转换效率并减少发热。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于AC-DC或DC-DC转换器中。
在电机驱动和变频器中，该MOSFET可作为功率开关，用于控制电机的转速和方向。其高耐压和大电流能力使其适用于中高功率电机控制系统。
在光伏逆变器和UPS（不间断电源）系统中，G23N60用于DC-AC转换，将太阳能电池板或电池的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。其高可靠性和良好的热稳定性确保系统在长时间运行中的稳定性。
此外，该器件也可用于LED照明驱动、电焊机、充电器和各类工业自动化设备中的功率控制电路。
IRF740, FQA24N60, 2SK2647, STP20N60
