时间：2025/12/29 15:04:53
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G20N60B3 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。G20N60B3适用于各种电源管理系统，如电源适配器、DC-DC转换器、UPS系统以及电机控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大）
栅极阈值电压：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
G20N60B3 MOSFET具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）为0.23Ω，能够在高电流工作状态下降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力达到600V，能够满足多种高电压应用需求。其20A的漏极电流能力也使得其适用于大功率负载切换和控制。
G20N60B3采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。其栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容多种驱动电路设计，适用于PWM控制等应用。
在可靠性方面，G20N60B3具备优良的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣环境下稳定工作。其设计也优化了短路耐受能力，提升系统安全性。因此，该MOSFET广泛应用于电源管理、工业控制、电动工具及电力电子设备中。
G20N60B3 主要应用于各类高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、不间断电源（UPS）以及电机驱动控制电路。由于其高耐压和高电流承载能力，该器件也常用于工业自动化设备、电动车辆的电力系统以及光伏逆变器等新能源领域。此外，G20N60B3还可用于高频电源变换器、LED照明驱动电源和家用电器中的功率控制模块。
TK20A60W, FQA20N60C, IRG4PC50UD, G25N60B3
