类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：200V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：0.21Ω

G2015K21U具有多项显著的技术特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其高达200V的漏极-源极击穿电压(Vds)允许它在高压环境下稳定工作，适用于需要高耐压能力的设计。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)为0.21Ω，在15A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率并减少发热。此外，其栅极-源极电压范围为±30V，确保了在各种驱动条件下栅极的稳定性。
　　G2015K21U的封装设计（如TO-220）具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，确保在高功率应用中的可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛环境条件，如工业现场或户外设备。同时，该器件具备较高的开关速度，适用于高频率的开关应用，例如DC-DC转换器、AC-DC电源模块和LED照明驱动器。在抗静电能力方面，G2015K21U也具有较高的ESD耐受性，增强了其在复杂电磁环境中的稳定性。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温条件下长时间工作而不发生性能退化，适用于需要长期运行的工业设备和电源系统。此外，它在设计上优化了短路耐受能力，提高了在异常工作条件下的安全性和可靠性。这些特性共同使得G2015K21U成为高压功率应用的理想选择，适用于各种高效率、高性能的电源系统设计。

G2015K21U广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电池充电器、DC-DC转换器、电机控制器以及工业自动化系统。此外，它也常用于高压直流输电、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等高可靠性场合。由于其良好的耐压能力和高效的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。

G20N20U、G15N20U、G25N20U、IXFH15N20P、IRFHV20