类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.10Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220

G20100CF5 MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供更低的导通电阻和更高的效率，从而减少功率损耗并提高系统的整体性能。其低Rds(on)特性使得该器件在高电流应用中表现优异，减少了导通损耗，提高了能效。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率，从而允许使用更小的外部元件，减小电路板空间占用。
　　G20100CF5的热性能设计也十分出色，TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在高功率条件下仍能保持稳定运行。该器件的高耐压能力（100V Vds）使其适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、马达驱动和电池管理系统。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其在不同控制电路中的适用性。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其设计符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。G20100CF5的这些特性使其成为电源管理和功率控制应用中的理想选择，尤其适合需要高效能、高可靠性和紧凑设计的场合。

G20100CF5广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、马达驱动器、工业自动化控制系统、照明设备、UPS不间断电源以及汽车电子系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色。

IRFZ44N, STP20NF10, FDPF20N10