时间：2025/7/16 11:53:41
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G17H361107EU 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片，广泛应用于高电压和高电流场景中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能。其设计旨在提升效率并降低功耗，适用于各种电源管理应用。此外，G17H361107EU 还具备强大的抗静电能力和可靠性，能够适应严苛的工作环境。
型号：G17H361107EU
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：650V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：18A
导通电阻(R_DS(on))：0.15Ω（典型值）
总功耗(P_TOT)：210W
工作温度范围(T_A)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
G17H361107EU 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保在高电流负载下保持高效运行。
2. 快速的开关速度减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高击穿电压 (650V) 使其能够在高电压环境下稳定工作。
4. 强大的散热性能支持长时间高功率操作。
5. 内置反向二极管以提高系统效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
7. 能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强了器件的鲁棒性。
这款功率MOSFET适用于多种工业和商业领域，具体包括：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. UPS（不间断电源）系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 电动车和混合动力车的动力管理系统。
7. 各种高压大电流的应用场合。
IRFP260N
FDP177N
STP18NF65
IXFN120N65T2
