时间：2025/8/24 22:38:11
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G15N120AN 是一款高电压、高电流的N沟道功率MOSFET，通常用于需要高效能功率转换的电力电子设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适合应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动、逆变器以及各种功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.38Ω（最大0.45Ω）
封装形式：TO-247
G15N120AN 的核心优势在于其高耐压和高电流能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。该器件具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，其快速的开关特性使得它在高频应用中表现出色，有助于减小功率变换器的体积和重量。
该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和15V驱动电路，方便与各种控制IC配合使用。G15N120AN 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发负载或短路情况下的可靠性。
在可靠性方面，G15N120AN 设计有良好的热循环稳定性和长期稳定性，可在工业级和汽车级应用中长时间运行而不会出现显著性能衰减。这使得它成为工业电源、太阳能逆变器、UPS系统以及电动车辆功率系统中的理想选择。
G15N120AN 广泛用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备、电机控制电路以及新能源系统如光伏逆变器和电动汽车充电模块。其高电压和高电流能力使其在需要高效功率转换的场合尤为适用。
SGW25N120HD、IRGP50B120UD、FGL40N120AND、STG15N120K5T4
