时间：2025/12/29 14:51:09
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G12N60B3 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。其设计用于在高电压和高电流条件下工作，提供高效的功率转换性能。该器件采用 TO-220 封装，适合多种电源管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：12A（25°C 时）
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：42nC
最大功耗（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
漏极与源极之间雪崩能量（Eas）：500mJ
G12N60B3 具备出色的导通和开关性能，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，可在异常工作条件下提供更好的可靠性和保护。TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持较低的结温。
该 MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在 10V 至 15V 之间工作，适用于多种驱动电路设计。此外，G12N60B3 还具备较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机控制电路。
该器件的制造工艺符合 AEC-Q101 标准，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。其内部结构设计优化了电场分布，降低了短路和击穿的风险，从而提高了器件的长期稳定性。
G12N60B3 主要用于各种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、直流电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件也广泛应用于家电中的功率控制模块，如电磁炉、电热水器和变频空调等。此外，在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车电源管理系统中，G12N60B3 也常被用作主开关器件。
STP12N60M5, FQA12N60, IRFGB40N60B
