容量：1Gbit（1024Mb）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　接口类型：SPI / QPI
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP 或 WSON
　　读取频率：最高可达104MHz
　　擦写寿命：10万次以上
　　数据保持时间：10年以上

G10E1000DW 是一款高性能的NOR Flash存储器，具有出色的稳定性和可靠性，适用于工业和商业应用。该芯片支持多种读写模式，包括单线、双线、四线SPI等，能够满足不同系统的通信需求。其高速读取能力使得该芯片非常适合用于代码存储和执行（XIP，eXecute In Place），可直接在闪存中运行程序而无需将代码加载到RAM中，从而降低了系统复杂度并提高了效率。
　　G10E1000DW 支持多种安全功能，如软件和硬件写保护、一次性可编程（OTP）区域等，确保数据存储的安全性。此外，该芯片具备低功耗设计，适用于对功耗敏感的应用场景，如便携式设备和物联网（IoT）产品。
　　该芯片的高集成度和大容量使其成为替代传统并行NOR Flash的理想选择，尤其是在空间受限的设计中。同时，G10E1000DW 支持多种擦除操作模式，包括扇区擦除、块擦除和整体擦除，提高了数据管理的灵活性。

G10E1000DW 主要应用于需要大容量非易失性存储和高速数据访问的系统中。例如，它可用于网络路由器和交换机中的固件存储、工业自动化控制系统中的程序存储、智能家居设备中的配置数据存储，以及车载电子系统中的导航地图和系统设置存储。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如智能手表、智能音箱、无线耳机等，用于存储操作系统、驱动程序和用户配置信息。由于其支持XIP模式，因此可被广泛用于需要快速启动和高效运行的嵌入式系统中。

W25Q128JV, MX25U12355G, S25FL128S