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G050P03K 发布时间 时间:2025/8/2 10:52:21 查看 阅读:41

G050P03K 是一款由国产厂商推出的功率MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、开关电源、电机驱动等需要高效功率控制的应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等优点,适用于工业自动化、消费类电子以及电源适配器等场景。G050P03K 采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):≤5mΩ(典型值)
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃~+175℃

特性

G050P03K MOSFET具有多个关键特性,使其在功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率,特别适合高电流应用场景。其次,该器件具备较高的电流承载能力,额定漏极电流可达100A,适用于高功率密度的设计。此外,G050P03K的TO-252封装不仅提供了良好的热管理性能,还便于PCB布局和散热设计。
  该MOSFET在高温环境下依然能保持稳定工作,工作温度范围达到-55℃至+175℃,适合在严苛的工业环境中使用。其栅极驱动电压范围宽泛,支持常见的10V或12V驱动电路,便于与各种控制器或驱动IC配合使用。
  另外,G050P03K还具备良好的短路耐受能力和抗过载能力,增强了系统的稳定性和可靠性。该器件通常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用中。

应用

G050P03K MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  在电源管理领域,该器件常用于开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器和同步整流电路中,以提高转换效率和减小系统体积。在电机控制方面,G050P03K可用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动车控制器和工业自动化设备中的H桥电路。
  此外,该MOSFET还可用于电池管理系统(BMS)、负载开关、热插拔电路以及高功率LED驱动电路。由于其高可靠性和优异的热性能,G050P03K也适用于汽车电子、智能家居和工业控制等对稳定性要求较高的场合。

替代型号

SiS828DN、IRF1010E、IPD90N03S4-03、STP100NF30、FDP100N30L

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G050P03K参数

  • 现有数量2,462现货
  • 价格1 : ¥8.55000剪切带(CT)2,500 : ¥3.62742卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)111 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7051 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63