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FZTA42TA 发布时间 时间:2025/12/26 9:43:57 查看 阅读:10

FZTA42TA是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装小信号PNP双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23(SC-59)小型封装,适用于高密度印刷电路板设计和便携式电子设备中的开关与放大应用。该器件专为低电压、低电流条件下的高效运行而设计,具有良好的增益性能和快速的开关响应特性,是现代消费类电子产品中常见的通用晶体管之一。FZTA42TA广泛用于电源管理、LED驱动、逻辑电平转换、继电器驱动以及各类模拟与数字信号控制电路中。其SOT-23封装支持自动化贴片生产,符合RoHS环保标准,并具备优良的热稳定性和可靠性。该晶体管在设计上优化了饱和压降和直流电流增益参数,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适合工业级和商业级应用场景。此外,FZTA42TA还具备一定的抗静电能力,提升了在实际使用中的耐用性。

参数

类型:PNP
  集电极-发射极电压(VCEO):40 V
  集电极-基极电压(VCBO):50 V
  发射极-基极电压(VEBO):5 V
  集电极电流(IC):-100 mA
  功率耗散(PD):300 mW
  直流电流增益(hFE):100 至 300(典型值,测试条件IC = -10 mA, VCE = -1 V)
  饱和电压(VCE(sat)):≤ -300 mV(典型值,IC = -100 mA, IB = -10 mA)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

FZTA42TA作为一款高性能的小信号PNP晶体管,在多个关键电气参数上表现出色,能够满足多种模拟与数字电路的设计需求。
  首先,该器件具备较高的直流电流增益(hFE),典型值在100至300之间,确保了在微弱输入信号条件下仍能实现有效的电流放大功能,适用于前置放大器、传感器信号调理等对增益稳定性要求较高的场合。其增益随温度和工作电流的变化较小,有助于提升系统整体的线性度与一致性。
  其次,FZTA42TA具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),在额定负载下可低至-300mV左右,这意味着在用作电子开关时能够显著降低导通损耗,提高能效,特别适合电池供电设备以延长续航时间。
  再者,该晶体管拥有高达100MHz的过渡频率(fT),使其不仅适用于直流或低频开关操作,还能胜任高频信号处理任务,如射频控制电路、高速逻辑接口等场景,展现出良好的高频响应能力。
  此外,FZTA42TA采用SOT-23小型表面贴装封装,体积紧凑,便于集成于高密度PCB布局中,同时具备良好的散热性能和机械强度,适应回流焊工艺要求。该器件符合无铅(Pb-free)制造标准,满足RoHS指令对有害物质的限制要求,适用于绿色环保产品设计。
  最后,其宽广的工作结温范围(-55°C 至 +150°C)保证了在极端环境条件下的可靠运行,可用于汽车电子、工业控制等对环境耐受性有较高要求的应用领域。综合来看,FZTA42TA是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的通用型PNP晶体管。

应用

FZTA42TA广泛应用于各类中小功率电子系统中,尤其适合作为开关元件或信号放大器使用。
  在消费类电子产品中,它常被用于手机、平板电脑、智能家居控制器中的电源开关、LED背光驱动及按键检测电路,利用其低饱和压降和快速响应特性实现高效的电源管理与用户交互控制。
  在工业控制领域,该晶体管可用于PLC模块、传感器接口电路和继电器驱动单元,将微控制器输出的低电平信号转换为足以驱动外部负载的控制信号,实现强弱电之间的安全隔离与有效衔接。
  在通信设备中,FZTA42TA可用于逻辑电平移位器、总线驱动器和信号选通电路,配合N沟道MOSFET或其他数字器件完成数据传输路径的控制。
  此外,在电源管理系统中,它可以构成简单的低压差稳压器(LDO)或过流保护电路的一部分,提供基本的电压调节与故障保护功能。
  由于其具备一定的高频特性,也适用于中低频振荡电路、音频前置放大器和脉冲信号整形电路等模拟应用。
  在汽车电子方面,FZTA42TA可用于车身控制模块(BCM)、车内照明控制、车窗升降器驱动辅助电路等非主动力系统中,凭借其宽温工作能力和长期稳定性满足车载环境的要求。
  总之,FZTA42TA因其通用性强、性价比高、供货稳定等特点,成为工程师在进行电路设计时常用的分立器件之一。

替代型号

MMBT3906, BC807-40, KSP2907A, FMMT42, DXT3906

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FZTA42TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZTA42TA-NDFZTA42TR