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FZT869TA 发布时间 时间:2025/7/23 19:30:57 查看 阅读:8

FZT869TA 是一款由 Diodes 公司制造的 NPN 型双极性晶体管(BJT),广泛应用于射频(RF)和中等功率放大电路中。这款晶体管以其高增益、高频率响应以及良好的热稳定性而著称,适用于无线通信设备、射频模块、音频放大器以及其他需要高频性能的电子系统。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110 - 800(取决于工作电流)
  特征频率(fT):250 MHz
  封装类型:SOT-23(小型表面贴装封装)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

FZT869TA 的主要特性包括高增益性能,这使其在小信号放大应用中表现优异;具备高达 250 MHz 的特征频率(fT),适用于射频和中高频放大器;采用 SOT-23 小型封装,节省电路板空间并适合表面贴装工艺;其热稳定性和电流处理能力在便携式通信设备和无线模块中尤为适用。
  此外,该晶体管具有宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),确保在各种环境条件下稳定运行;其低饱和电压和快速开关特性也使其在数字开关应用中表现出色。FZT869TA 还具有良好的线性度和低噪声系数,适用于低噪声前置放大器的设计。

应用

FZT869TA 主要用于射频(RF)和中频(IF)放大器、无线通信模块(如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee)、射频识别(RFID)设备、天线前置放大器、音频放大器、数字逻辑电路中的开关应用,以及便携式电子产品中的信号放大功能。由于其高频性能和小型封装,该晶体管在现代无线通信系统中被广泛采用。

替代型号

2N3904, BC847, PN2222A

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FZT869TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)350mV @ 150mA,6.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT869TR