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FZT855TA 发布时间 时间:2025/8/2 8:44:13 查看 阅读:35

FZT855TA 是一款由 ON Semiconductor 生产的 PNP 双极性晶体管(BJT),广泛用于需要高电流和中等功率处理能力的电路中。该晶体管采用 SOT-223 封装,具有良好的热性能和可靠性,适用于多种电子设备中的开关和放大应用。

参数

晶体管类型:PNP
  最大集电极电流(Ic):3A
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Ptot):2W
  频率响应:100MHz
  电流增益(hFE):400-1000(根据工作条件)
  封装类型:SOT-223

特性

FZT855TA 具有优异的开关性能,适用于需要快速开关操作的应用场景。其高电流承载能力使其能够在负载较大的电路中稳定工作。
  此外,该晶体管的 SOT-223 封装提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
  器件的电流增益范围较宽,能够根据不同的工作条件进行调整,从而满足多种应用需求。
  在设计中,FZT855TA 还表现出良好的线性度和低噪声特性,使其在放大电路中也能发挥出色的表现。
  该晶体管还具有较高的耐压能力,能够承受较高的集电极-发射极电压,适用于多种中高功率电路。

应用

FZT855TA 常用于电源管理电路、电机驱动器、继电器驱动器、LED 照明控制、音频放大器和工业自动化设备中的开关和放大电路。其高电流能力和良好的热性能使其成为许多中高功率应用的理想选择。

替代型号

BC847B, 2N3906, FZT849TA

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FZT855TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)355mV @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT855TR