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FZT849 发布时间 时间:2025/12/29 13:22:34 查看 阅读:15

FZT849是一款NPN型晶体管,广泛应用于低噪声前置放大电路中。该晶体管采用SOT-23封装形式,适合高频应用,并具有良好的线性放大性能。FZT849常用于射频(RF)和中间频率(IF)放大器、混频器和振荡器等电路中,适用于便携式通信设备和无线模块。

参数

晶体管类型:NPN
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(IC):100 mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
  最大集电极-基极电压(VCB):30 V
  最大功耗(PD):300 mW
  增益带宽积(fT):250 MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

FZT849晶体管具有多项优良特性,包括高增益带宽积,适用于高频放大电路;低噪声系数,使其非常适合用于低噪声前置放大器;SOT-23封装体积小巧,便于在紧凑型电子设备中使用。此外,其良好的电流增益稳定性确保在不同工作条件下仍能保持优异的放大性能。晶体管的引脚排列设计也有助于减少高频应用中的寄生电容影响,从而提高整体电路性能。
  FZT849的hFE值范围较宽,可根据具体需求选择不同等级的产品,以满足不同的放大需求。其高频率响应特性使得该器件在射频前端设计中表现出色,能够有效放大信号而不会引入过多噪声或失真。同时,该晶体管具有较高的可靠性,适用于严苛环境下的电子设备,如工业控制系统和通信基础设施。

应用

FZT849主要应用于射频放大器、中间频率放大器、混频器、振荡器等高频电路设计中。此外,它也适用于低噪声前置放大器、无线通信模块、便携式电子设备、音频放大电路以及各类模拟信号处理系统。在实际应用中,FZT849常被用于提升信号强度和改善电路的噪声性能,尤其是在需要高线性度和低失真的场合。

替代型号

BC847、2N3904、MMBT3904、2N2222、PN2222

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